| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| ·论文选题背景 | 第8-11页 |
| ·硬脆晶体材料的抛光技术简介 | 第11页 |
| ·单晶MgO材料的特性及加工现状 | 第11-14页 |
| ·单晶MgO材料的特性 | 第11-14页 |
| ·单晶MgO基片的加工现状 | 第14页 |
| ·本论文的主要工作 | 第14-16页 |
| 2 实验研究条件 | 第16-20页 |
| ·实验设备 | 第16页 |
| ·检测仪器 | 第16-17页 |
| ·实验样品的准备 | 第17-18页 |
| ·磨料及抛光垫的选取 | 第18-20页 |
| 3 单晶MgO基片的机械抛光实验研究 | 第20-29页 |
| ·单晶MgO基片机械抛光实验 | 第20-28页 |
| ·抛光压力对表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第21-22页 |
| ·抛光盘转速对表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第22-24页 |
| ·抛光液流量对表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第24-25页 |
| ·抛光液中磨料浓度对表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第25-26页 |
| ·抛光时间对表面粗糙度的影响 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 4 单晶MgO基片抛光液的化学作用研究 | 第29-43页 |
| ·非钝化型(产生可溶性反应物的)抛光液作用的研究 | 第30-34页 |
| ·含氯化镁抛光液的效果 | 第30-31页 |
| ·含硝酸铵抛光液的效果 | 第31-32页 |
| ·含氯化铵抛光液的效果 | 第32-33页 |
| ·含盐酸抛光液的效果 | 第33-34页 |
| ·钝化型(产生难溶性反应物的)抛光液作用的研究 | 第34-36页 |
| ·含磷酸氢二铵抛光液的效果 | 第34-35页 |
| ·含磷酸抛光液的效果 | 第35-36页 |
| ·抛光单晶MgO时抛光液化学作用机理的研究 | 第36-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 5 单晶MgO基片的化学机械抛光实验研究 | 第43-56页 |
| ·化学机械抛光技术的特点 | 第43页 |
| ·化学机械抛光技术原理 | 第43-44页 |
| ·单晶MgO基片化学机械抛光实验 | 第44-55页 |
| ·化学成分的浓度对表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第44-46页 |
| ·抛光压力对表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第46-48页 |
| ·抛光盘转速对表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第48-50页 |
| ·抛光液流量对表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第50-52页 |
| ·抛光时间对表面粗糙度的影响 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 6 单晶MgO基片抛光加工后翘曲变形的实验研究 | 第56-64页 |
| ·粘接工艺引起的残余应力对MgO基片翘曲变形的影响 | 第56-58页 |
| ·加工过程中产生的残余应力对MgO基片翘曲变形的影响 | 第58-61页 |
| ·单晶MgO基片研磨抛光工艺改进 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 7 结论与展望 | 第64-66页 |
| ·结论 | 第64-65页 |
| ·进一步工作展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第70页 |