| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-41页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·驻极体材料的基本效应 | 第13-14页 |
| ·驻极体的主要研究方法 | 第14-23页 |
| ·样品的极化和表面电位的测量 | 第14-17页 |
| ·热刺激放电 | 第17-18页 |
| ·电荷重心的测量 | 第18-20页 |
| ·压电系数的测量 | 第20-23页 |
| ·聚丙烯(Polypropylene)孔洞驻极体压电薄膜的研究进展 | 第23-30页 |
| ·PP孔洞原生膜的制备及压力膨化处理 | 第24-26页 |
| ·PP孔洞膜的极化 | 第26-27页 |
| ·PP孔洞膜的突出压电活性 | 第27-28页 |
| ·PP孔洞膜的可能应用 | 第28-30页 |
| ·非孔洞型聚萘二甲酸乙二酯(PEN)薄膜的研究进展 | 第30-33页 |
| ·PEN薄膜的性能 | 第30-32页 |
| ·PEN薄膜的应用 | 第32-33页 |
| ·选题背景与目的 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-41页 |
| 第二章 压力膨化后PP孔洞膜驻极体的压电性及其热稳定性 | 第41-61页 |
| ·PP孔洞膜驻极体的结构及其压电理论模型 | 第41-47页 |
| ·PP孔洞膜短路条件下的压电模型 | 第42-45页 |
| ·PP孔洞膜接触法充电过程中的压电模型 | 第45-47页 |
| ·压力膨化处理对EUH75和SHD50薄膜厚度的影响 | 第47-50页 |
| ·压力膨化处理后的EUH75和SHD50孔洞膜的压电性 | 第50-57页 |
| ·EUH75和SHD50的压电d_(33)系数随样品厚度的关系 | 第50页 |
| ·EUH75和SHD50的压电d_(33)数随电晕电压的关系 | 第50-53页 |
| ·EUH75和SHD50孔洞膜的逆压电d_(33)系数随频率的关系 | 第53页 |
| ·EUH75和SHD50的压电d_(33)系数的稳定性 | 第53-54页 |
| ·充电方法对PP孔洞膜压电性的影响 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第三章 六氟化硫气体环境中充电对不同结构PP孔洞膜压电性的影响 | 第61-75页 |
| ·EUH75和SHD50孔洞膜的微结构分析 | 第62-63页 |
| ·在SF_6环境中的电晕充电对EUH75和SHD50压电性的影响 | 第63-66页 |
| ·在SF_6环境中储存时EUH75和SHD50孔洞膜厚度的变化 | 第66-67页 |
| ·经SF_6处理后EUH75和SHD50孔洞膜的压电性 | 第67-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 第四章 压力膨化后的热处理温度对PQ50孔洞膜驻极体机电性质的影响 | 第75-88页 |
| ·压力膨化前后PQ50孔洞膜机电性质对比 | 第75-79页 |
| ·压力膨化后的热处理温度对PQ50孔洞膜驻极体机电参数的影响 | 第79-84页 |
| ·对PQ50孔洞膜的厚度及相对介电常数的影响 | 第79-80页 |
| ·对PQ50孔洞膜的谐振频率及机电耦合系数的影响 | 第80-81页 |
| ·对PQ50孔洞膜的杨氏模量及压电d_(33)系数的影响 | 第81-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-88页 |
| 第五章 多层膜系的压电响应及PP孔洞膜压电性热稳定性的改善 | 第88-104页 |
| ·多层结构PP孔洞膜系的制备及其灵敏度 | 第89-94页 |
| ·经压力膨化处理后单层PQ50孔洞膜的压电性 | 第90页 |
| ·多层结构PQ50孔洞膜系的制备 | 第90页 |
| ·多层结构PQ50孔洞膜系的压电灵敏度 | 第90-92页 |
| ·PQ50孔洞膜的逆压电效应 | 第92-94页 |
| ·高温充电及常温充电后的高温老化对PQ50孔洞膜压电性的影响 | 第94-101页 |
| ·高温充电及常温充电后高温热处理的PQ50孔洞膜铁电驻极体的压电性 | 第94-97页 |
| ·高温充电及常温充电后的热处理对PQ50孔洞膜压电性热稳定性的影响 | 第97-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-104页 |
| 第六章 非孔洞型聚萘二甲酸乙二酯薄膜的空间电荷储存及其稳定性 | 第104-116页 |
| ·不同环境条件下PEN薄膜驻极体的电荷储存 | 第105-107页 |
| ·PEN和PET薄膜驻极体的开路TSD谱比较 | 第107-108页 |
| ·高温充电的PEN薄膜驻极体的开路TSD电流谱 | 第108页 |
| ·PEN薄膜驻极体中脱阱电荷的输运特性 | 第108-109页 |
| ·空间电荷储存寿命的估算 | 第109-113页 |
| ·本章小结 | 第113页 |
| 参考文献 | 第113-116页 |
| 第七章 结论与展望 | 第116-119页 |
| ·结论 | 第116-118页 |
| ·展望 | 第118-119页 |
| 个人简历 | 第119页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121页 |
