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3-8MeV能区内的电子—反电子中微子散射截面的测量

第1章 前言:中微子物理与中微子实验第1-22页
   ·中微子的发现第8-12页
     ·β衰变的连续谱之谜第8-9页
     ·中微子的提出第9-11页
     ·中微子的实验证实第11-12页
   ·中微子质量之谜第12-16页
     ·太阳中微子丢失第13-14页
     ·中微子振荡理论第14-16页
   ·中微子实验第16-21页
     ·太阳中微子实验第16-18页
     ·反应堆中微子实验第18-21页
   ·小结第21-22页
第2章 TEXONO实验第22-41页
   ·实验动机第22-24页
   ·电子与中微子的散射第24-25页
   ·TEXONO实验的细节介绍第25-34页
     ·反应堆中微子源第25-26页
     ·屏蔽体设计第26-28页
     ·电子学系统第28-31页
       ·FADC第28-30页
       ·其他的电子学系统第30-31页
     ·DAQ系统第31-32页
     ·CsI(Tl)晶体阵列探测器和ULB-HPGe探测器第32-34页
       ·ULB-HPGe探测器第32-33页
       ·CsI(Tl)探测器阵列第33-34页
   ·TEXONO实验的本底情况第34-41页
     ·宇宙线本底第34-36页
     ·外部环境本底第36-38页
     ·反应堆工作时的本底情况第38-39页
     ·探测器内部的放射性第39-41页
第3章 TEXONO实验中CsI(Tl)探测器阵列的数据分析第41-58页
   ·数据的采集第41页
   ·事例判选条件第41-46页
     ·宇宙线反符合(Comic Veto)第42-43页
     ·单个击中条件(Single Hit Cut)第43页
     ·脉冲形状甄别(PSD)第43页
     ·位置判选条件(ZPos Cut)第43-46页
   ·饱和脉冲重建方法第46-48页
   ·能量和位置的重建第48-52页
     ·位置重建第48-49页
     ·能量重建第49-52页
   ·能量重建的分辨率改善方法第52-58页
     ·特征带倾斜的补偿第52-55页
     ·特征带弯曲的补偿第55-58页
第4章 由CsI(Tl)晶体中U/Th衰变链引起的内本底放射性研究第58-72页
   ·放射系与放射系的长期平衡第58-59页
   ·CsI(Tl)晶体中U第59-65页
     ·探测器与时间有关的特点第61页
     ·~(214)Bi →~(214)Po →~(210)Pb的连续衰变过程第61-62页
     ·~(224)Ra →~(220)Rn →~(216)Po →~(212)Pb的连续衰变过程第62-64页
     ·~(212)Bi →~(212)Po →~(208)Pb的连续衰变过程第64-65页
   ·CsI(Tl)晶体中U/Th的含量第65-67页
   ·位置分辨率的测量第67-69页
   ·晶体生长时杂质浓度的变化第69页
   ·CsI(Tl)晶体中α的猝灭因子(Quenching Factor)第69-72页
第5章 TEXONO实验测量出的((ν|-)_e,e)散射截面的初步结果第72-77页
   ·理论估计第72-74页
     ·反应堆中微子谱估计第72-74页
     ·用标准模型估计出的反冲电子能谱第74页
   ·TEXONO实验的初步结果第74-77页
第6章 总结第77-78页
参考文献第78-81页
致谢及声明第81-82页
个人简历、在学期间的研究成果及发表的论文第82页

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