第1章 前言:中微子物理与中微子实验 | 第1-22页 |
·中微子的发现 | 第8-12页 |
·β衰变的连续谱之谜 | 第8-9页 |
·中微子的提出 | 第9-11页 |
·中微子的实验证实 | 第11-12页 |
·中微子质量之谜 | 第12-16页 |
·太阳中微子丢失 | 第13-14页 |
·中微子振荡理论 | 第14-16页 |
·中微子实验 | 第16-21页 |
·太阳中微子实验 | 第16-18页 |
·反应堆中微子实验 | 第18-21页 |
·小结 | 第21-22页 |
第2章 TEXONO实验 | 第22-41页 |
·实验动机 | 第22-24页 |
·电子与中微子的散射 | 第24-25页 |
·TEXONO实验的细节介绍 | 第25-34页 |
·反应堆中微子源 | 第25-26页 |
·屏蔽体设计 | 第26-28页 |
·电子学系统 | 第28-31页 |
·FADC | 第28-30页 |
·其他的电子学系统 | 第30-31页 |
·DAQ系统 | 第31-32页 |
·CsI(Tl)晶体阵列探测器和ULB-HPGe探测器 | 第32-34页 |
·ULB-HPGe探测器 | 第32-33页 |
·CsI(Tl)探测器阵列 | 第33-34页 |
·TEXONO实验的本底情况 | 第34-41页 |
·宇宙线本底 | 第34-36页 |
·外部环境本底 | 第36-38页 |
·反应堆工作时的本底情况 | 第38-39页 |
·探测器内部的放射性 | 第39-41页 |
第3章 TEXONO实验中CsI(Tl)探测器阵列的数据分析 | 第41-58页 |
·数据的采集 | 第41页 |
·事例判选条件 | 第41-46页 |
·宇宙线反符合(Comic Veto) | 第42-43页 |
·单个击中条件(Single Hit Cut) | 第43页 |
·脉冲形状甄别(PSD) | 第43页 |
·位置判选条件(ZPos Cut) | 第43-46页 |
·饱和脉冲重建方法 | 第46-48页 |
·能量和位置的重建 | 第48-52页 |
·位置重建 | 第48-49页 |
·能量重建 | 第49-52页 |
·能量重建的分辨率改善方法 | 第52-58页 |
·特征带倾斜的补偿 | 第52-55页 |
·特征带弯曲的补偿 | 第55-58页 |
第4章 由CsI(Tl)晶体中U/Th衰变链引起的内本底放射性研究 | 第58-72页 |
·放射系与放射系的长期平衡 | 第58-59页 |
·CsI(Tl)晶体中U | 第59-65页 |
·探测器与时间有关的特点 | 第61页 |
·~(214)Bi →~(214)Po →~(210)Pb的连续衰变过程 | 第61-62页 |
·~(224)Ra →~(220)Rn →~(216)Po →~(212)Pb的连续衰变过程 | 第62-64页 |
·~(212)Bi →~(212)Po →~(208)Pb的连续衰变过程 | 第64-65页 |
·CsI(Tl)晶体中U/Th的含量 | 第65-67页 |
·位置分辨率的测量 | 第67-69页 |
·晶体生长时杂质浓度的变化 | 第69页 |
·CsI(Tl)晶体中α的猝灭因子(Quenching Factor) | 第69-72页 |
第5章 TEXONO实验测量出的((ν|-)_e,e)散射截面的初步结果 | 第72-77页 |
·理论估计 | 第72-74页 |
·反应堆中微子谱估计 | 第72-74页 |
·用标准模型估计出的反冲电子能谱 | 第74页 |
·TEXONO实验的初步结果 | 第74-77页 |
第6章 总结 | 第77-78页 |
参考文献 | 第78-81页 |
致谢及声明 | 第81-82页 |
个人简历、在学期间的研究成果及发表的论文 | 第82页 |