| 目录 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 插图索引 | 第9-11页 |
| 附表索引 | 第11-12页 |
| 第1章 文献综述 | 第12-26页 |
| ·背景介绍 | 第12-14页 |
| ·红外探测器发展史 | 第14-15页 |
| ·探测器分类 | 第15-17页 |
| ·热探测器 | 第15-16页 |
| ·光子探测器 | 第16-17页 |
| ·红外探测器的主要性能指标 | 第17-21页 |
| ·响应度 | 第17-18页 |
| ·噪声 | 第18-19页 |
| ·噪声等效功率 | 第19页 |
| ·探测率 | 第19页 |
| ·归一化探测率 | 第19-21页 |
| ·光谱响应 | 第21页 |
| ·GaSb和GaInAsSb的材料特性 | 第21-24页 |
| ·GaInAsSb／GaSb红外探测器的发展 | 第24页 |
| ·选题的目的及研究内容 | 第24-26页 |
| 第2章 GaInAsSb探测器的设计及制备工艺 | 第26-33页 |
| ·器件设计及设计原则 | 第26-27页 |
| ·器件制作工艺与测试 | 第27-32页 |
| ·器件制作工艺 | 第27-30页 |
| ·测试分析仪器设备及原理 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 欧姆接触 | 第33-49页 |
| ·金属-半导体接触 | 第33-36页 |
| ·金属-半导体接触输运机理 | 第33页 |
| ·电流传输机理 | 第33-34页 |
| ·接触电阻率 | 第34-36页 |
| ·传输线电阻率测试方法 | 第36-38页 |
| ·欧姆接触制作工艺 | 第38-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-48页 |
| ·AuZn与p-GaInAsSb的欧姆接触 | 第40-42页 |
| ·AuBe与p-GaInAsSb的欧姆接触 | 第42-45页 |
| ·TiPtAu与p-GaInAsSb的欧姆接触 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 CH_3CSNH_2／NH_4OH溶液对GaInAsSb材料及器件的钝化研究 | 第49-60页 |
| ·硫钝化研究的历史和现状 | 第49-50页 |
| ·GaInAsSb材料及器件的钝化 | 第50-51页 |
| ·钝化试验及测试 | 第51-53页 |
| ·硫钝化机理的研究 | 第53-59页 |
| ·AES分析 | 第53-57页 |
| ·XPS分析 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 抗反射膜研究 | 第60-70页 |
| ·单层膜光学特性 | 第60-62页 |
| ·光学薄膜材料的选择 | 第62页 |
| ·理论计算 | 第62页 |
| ·抗反膜试验及结果 | 第62-69页 |
| ·膜层的反射率测试 | 第62-66页 |
| ·蒸镀增透膜前后探测器I-V性能测试 | 第66-67页 |
| ·蒸镀增透膜前后探测器的黑体探测率测试 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 附录A(攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第77-78页 |
| 附录B(攻读学位期间主要参与的课题研究) | 第78页 |