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中频孪生磁控溅射等离子体特性与氧化物薄膜沉积研究

摘要第1-5页
Abstract第5-6页
目录第6-8页
1 绪论第8-18页
 1.1 选题意义第8页
 1.2 磁控溅射简介第8-13页
  1.2.1 溅射工作原理的简单回顾第8-10页
  1.2.2 磁控溅射沉积的特点第10-13页
  1.2.3 磁控溅射的应用第13页
 1.3 MgO、Al_2O_3薄膜沉积发展现状、应用第13-17页
  1.3.1 MgO、Al_2O_3薄膜的应用第13-15页
  1.3.2 MgO、Al_2O_3薄膜的制备方法第15-17页
 1.4 本文的研究内容第17-18页
2 中频孪生磁控溅射系统及检测分析第18-22页
 2.1 中频孪生磁控溅射系统简介第18-20页
 2.2 实验工艺第20页
 2.3 膜厚检测设备第20-21页
 2.4 光致发光检测设备第21-22页
3 薄膜制备过程中的现象、分析第22-33页
 3.1 Towsend放电曲线、辉光放电第22-25页
 3.2 制备Mg、MgO时的放电曲线第25-31页
  3.2.1 Mg、MgO的Ⅴ-Ⅰ曲线第25-27页
  3.2.2 曲线的分析第27-29页
  3.2.3 对出现此放电曲线的假设第29-31页
 3.3 结论第31-33页
4 影响MgO薄膜沉积速率的因素第33-40页
 4.1 气体成份对靶的起辉气压的影响第33-34页
 4.2 MgO薄膜的XRD检测结果第34-35页
 4.3 MgO薄膜沉积速率与参数的关系第35-40页
5 参数对掺铒Al_2O_3薄膜发光性能的影响第40-49页
 5.1 薄膜退火前后结构比较第40-41页
 5.2 制备结果中出现的多层膜结构第41-42页
 5.3 不同参数对发光性能的影响第42-49页
6 结论第49-50页
参考文献第50-54页
在读期间发表的论文第54-55页
致谢第55-56页

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