| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 序言 | 第9-19页 |
| 1．1 引言 | 第9页 |
| 1．2 太阳能的特点 | 第9-10页 |
| 1．3 太阳电池的原理 | 第10-11页 |
| 1．4 晶体硅太阳电池的现状 | 第11-12页 |
| 1．5 多晶硅材料的主要生产技术 | 第12-18页 |
| 1．5．1 铸造法 | 第13-15页 |
| 1．5．2 带状生长法 | 第15-18页 |
| 1．6 我国太阳电池的现状 | 第18-19页 |
| 第二章 文献综述 | 第19-35页 |
| 2．1 引言 | 第19页 |
| 2．2 太阳电池级单晶硅材料的杂质和缺陷 | 第19-20页 |
| 2．3 多晶硅材料的杂质和缺陷 | 第20-21页 |
| 2．4 金属杂质对硅器件的影响 | 第21-22页 |
| 2．5 过渡族金属杂质的扩散 | 第22-24页 |
| 2．7 吸杂—从器件工作区中移去过渡族金属 | 第24-33页 |
| 2．7．1 吸杂的分类 | 第25页 |
| 2．7．2 吸杂的机理 | 第25-27页 |
| 2．7．3 吸杂技术 | 第27-32页 |
| 2．7．4 吸杂技术的当前理解和发展 | 第32-33页 |
| 2．8 磷吸杂的一些局限性 | 第33-35页 |
| 第三章 实验方案及实验设备介绍 | 第35-45页 |
| 3．1 实验所用材料方案 | 第35页 |
| 3．2 实验主要方案 | 第35-40页 |
| 3．2．1 原生晶体硅材料的吸杂试验研究 | 第35-37页 |
| 3．2．2 铁沾污后晶体硅材料的吸杂试验研究 | 第37-39页 |
| 3．2．3 RTP吸杂研究 | 第39-40页 |
| 3．2．4 铸造多晶硅中铁的磷吸杂和氢钝化机理研究 | 第40页 |
| 3．3 实验设备 | 第40-45页 |
| 3．3．1 微波光电导衰减仪(μ-PCD)工作原理 | 第40-43页 |
| 3．3．2 用μ-PCD对铁沾污进行分析 | 第43-45页 |
| 第四章 原生晶体硅材料的吸杂试验研究 | 第45-57页 |
| 4．1 引言 | 第45页 |
| 4．2 多晶硅的吸杂实验研究 | 第45-49页 |
| 4．2．1 多晶硅的常规恒温吸杂实验研究 | 第45-47页 |
| 4．2．2 多晶硅的常规分步变温吸杂实验 | 第47-48页 |
| 4．2．3 多晶硅的常规连续变温吸杂实验 | 第48-49页 |
| 4．3 单晶硅的吸杂实验研究 | 第49-51页 |
| 4．3．1 单晶硅的常规恒温吸杂实验研究 | 第49-50页 |
| 4．3．2 单晶硅的常规连续变温吸杂实验 | 第50-51页 |
| 4．4 原生晶体硅材料的吸杂实验结果讨论 | 第51-53页 |
| 4．5 原生晶体硅材料变温磷吸杂的正交优化实验研究 | 第53-56页 |
| 4．5．1 原生多晶硅变温磷吸杂的正交优化实验研究 | 第54-55页 |
| 4．5．2 原生单晶硅变温磷吸杂的正交优化实验研究 | 第55-56页 |
| 4．6 本章结论 | 第56-57页 |
| 第五章 铁沾污后晶体硅材料的吸杂试验研究 | 第57-72页 |
| 5．1 引言 | 第57-58页 |
| 5．2 高温(1100℃/0．5h)铁沾污后吸杂研究 | 第58-62页 |
| 5．2．1 恒温吸杂实验研究 | 第59-60页 |
| 5．2．2 连续变温吸杂实验研究 | 第60-62页 |
| 5．3 中温(900℃/1h)铁沾污后吸杂研究 | 第62-65页 |
| 5．4 低温(600℃/2h)铁沾污后吸杂研究 | 第65-68页 |
| 5．5 实验结果分析讨论 | 第68-70页 |
| 5．6 本章结论 | 第70-72页 |
| 第六章 RTP吸杂研究 | 第72-78页 |
| 6．1 引言 | 第72-73页 |
| 6．2 原生样品RTP变温吸杂研究 | 第73-75页 |
| 6．3 高温铁沾污后的RTP吸杂研究 | 第75-76页 |
| 6．4 实验结果分析讨论 | 第76-77页 |
| 6．5 本章结论 | 第77-78页 |
| 第七章 多晶硅中铁的磷吸杂和氢钝化机理研究 | 第78-83页 |
| 7．1 引言 | 第78页 |
| 7．2 实验过程 | 第78-79页 |
| 7．3 结果和讨论 | 第79-81页 |
| 7．4 结论 | 第81-83页 |
| 第八章 总结 | 第83-94页 |
| 攻读硕士期间完成的论文 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95页 |
