碲锌镉探测器的制备及性能研究
| 第一章 概论 | 第1-27页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·半导体室温核辐射探测器的发展状况 | 第9-12页 |
| ·GaAs 核辐射探测器 | 第9-10页 |
| ·CdTe 核辐射探测器 | 第10-11页 |
| ·HgI_2核辐射探测器 | 第11-12页 |
| ·其它半导体核辐射探测器 | 第12页 |
| ·半导体γ核辐射探测器原理 | 第12-20页 |
| ·射线的性质及其与物质相互作用原理 | 第12-19页 |
| ·γ射线探测器的基本要求 | 第19-20页 |
| ·半导体探测器的主要参数 | 第20-22页 |
| ·探测效率 | 第20页 |
| ·能量分辨率 | 第20-21页 |
| ·噪声 | 第21页 |
| ·线性 | 第21-22页 |
| ·碲锌镉(CdZnTe)室温核辐射探测器概述 | 第22-25页 |
| ·CdZnTe(CZT)材料 | 第22-24页 |
| ·CZT 探测器的优点 | 第24-25页 |
| ·CZT 探测器研究现状 | 第25页 |
| ·本论选题思路和研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 光电导型CZT 探测器制备 | 第27-42页 |
| ·工作原理 | 第27-31页 |
| ·附加电导率 | 第28-29页 |
| ·光电导灵敏度及增益 | 第29-30页 |
| ·复合和陷阱效应 | 第30-31页 |
| ·光电导型CZT 探测器制备工艺 | 第31-37页 |
| ·晶片加工 | 第32-35页 |
| ·电极制作 | 第35-36页 |
| ·器件封装 | 第36-37页 |
| ·光电导型CZT 探测器性能测试 | 第37-42页 |
| ·I-V 性能 | 第37-39页 |
| ·I-T 特性 | 第39-41页 |
| ·吸收谱测量及分析 | 第41-42页 |
| 第三章 面垒型CZT探测器制备 | 第42-57页 |
| ·工作原理 | 第42-45页 |
| ·表面态对金属半导体接触的影响 | 第45-46页 |
| ·面垒型CZT 探测器的制备工艺 | 第46-49页 |
| ·电极制作 | 第47页 |
| ·探测器表面处理及封装 | 第47-49页 |
| ·面垒型CZT 探测器性能测试 | 第49-57页 |
| ·I-V 特性 | 第49-52页 |
| ·C-V 特性 | 第52-56页 |
| ·吸收谱测试及分析 | 第56-57页 |
| 第四章 总结 | 第57-59页 |
| ·结论 | 第57-58页 |
| ·工作展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 发表论文及科研情况 | 第62-63页 |
| 声明 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
