| 第一章 绪论 | 第1-9页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·本论文的主要工作 | 第8-9页 |
| 第二章 辐照损伤与晶体缺陷理论基础 | 第9-17页 |
| ·晶体缺陷 | 第9-12页 |
| ·点缺陷 | 第9-11页 |
| ·其它晶体缺陷 | 第11页 |
| ·晶体缺陷之间的相互作用 | 第11-12页 |
| ·辐照效应的分类 | 第12-13页 |
| ·粒子与晶体原子的相互作用 | 第13-15页 |
| ·带电粒子与晶体原子的相互作用 | 第13-14页 |
| ·中子与晶体的相互作用 | 第14-15页 |
| ·离子晶体的色心 | 第15-17页 |
| ·电荷缺陷色心 | 第15-16页 |
| ·离子缺陷色心 | 第16-17页 |
| 第三章 Ar离子辐照A1_2O_3、MgO、MgA1_2O_4的效应研究 | 第17-25页 |
| ·引言 | 第17-18页 |
| ·离子辐照实验 | 第18页 |
| ·样品的制备 | 第18页 |
| ·离子注入实验及测试 | 第18页 |
| ·离子辐照A1_2O_3辐照效应 | 第18-21页 |
| ·A1_2O_3透射吸收谱的变化 | 第19-21页 |
| ·X射线衍射谱的变化 | 第21页 |
| ·离子辐照MgO辐照效应 | 第21-23页 |
| ·MgO透射吸收谱的变化 | 第21-22页 |
| ·X射线衍射谱的变化 | 第22-23页 |
| ·Ar离子辐照MgA1_2O_4辐照效应 | 第23-25页 |
| 第四章 中子辐照MgO单晶辐照效应及退火恢复特性研究 | 第25-30页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·中子辐照实验 | 第25-29页 |
| ·实验条件 | 第25-26页 |
| ·样品的辐照损伤 | 第26-27页 |
| ·辐照损伤的退火恢复 | 第27-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第五章 中子辐照SiC单晶辐照效应及退火恢复特性研究 | 第30-40页 |
| ·引言 | 第30-35页 |
| ·SiC晶体结构 | 第31-33页 |
| ·SiC单晶生长 | 第33-34页 |
| ·SiC材料辐照效应的研究概况 | 第34-35页 |
| ·中子辐照实验 | 第35-40页 |
| ·实验条件 | 第35-36页 |
| ·辐照对晶格常数的影响 | 第36-40页 |
| 第六章 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45页 |
