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神经元MOS及其应用电路的研究

1 绪论第1-19页
 1.1 神经元MOS晶体管的基本结构及特性第9-15页
  1.1.1 单管的基本结构及特点第10-12页
  1.1.2 四端子器件的概念第12-13页
  1.1.3 互补管的基本结构第13-15页
 1.2 神经元MOS及其应用的研究现状第15-16页
 1.3 论文的研究意义及主要内容第16-19页
  1.3.1 论文所开展的主要工作第17页
  1.3.2 本文的内容安排:第17-19页
2 神经元MOS的性能分析第19-39页
 2.1 器件的浮栅增益因子第19-24页
 2.2 神经元MOS电路的速度性能第24-28页
 2.3 神经元MOS电路的功耗第28-31页
 2.4 器件输入端子的限制因素第31-38页
  2.4.1 输入端子数对运算精度的影响第31-32页
  2.4.2 输入端子数对速度的影响第32-37页
  2.4.3 电源电压对输入端子数的影响第37-38页
 2.5 本章小结第38-39页
3 神经元MOS的HSPICE模型第39-55页
 3.1 神经元MOS浮栅电势的建模第39-41页
 3.2 神经元MOS的SPICE宏模型第41-44页
 3.3 神经元MOS互补管的建模第44-46页
 3.4 神经元MOS电路宏模型的验证第46-47页
 3.5 钟控神经元MOS的建模第47-54页
  3.5.1 钟控神经元MOS浮栅电势的建模第48-49页
  3.5.2 钟控神经元MOS的SPICE宏模型第49-51页
  3.5.3 钟控神经元MOS互补管的建模第51-52页
  3.5.4 钟控神经元MOS模型的验证第52-54页
 3.6 本章小结第54-55页
4 用神经元MOS实现奇偶校验码系统第55-64页
 4.1 奇偶校验码系统介绍第55-57页
 4.2 基于神经元MOS的奇偶校验码系统第57-63页
 4.3 本章小结第63-64页
5 神经元MOS在PWM发生器的应用第64-80页
 5.1 PWM技术介绍第64-66页
 5.2 神经元MOS在PWM数字发生器中的应用第66-79页
  5.2.1 带加权的神经元MOS源极跟随电路第67-68页
  5.2.2 差分电路第68-69页
  5.2.3 保持电路第69-70页
  5.2.4 改变电源幅值的方法第70-71页
  5.2.5 电路仿真结果第71-72页
  5.2.6 关于C-vMOS源极跟随器的讨论第72-75页
  5.2.7 比较单元的另一种实现方案第75-78页
  5.2.8 比较单元的精度分析第78-79页
 5.3 本章小结第79-80页
6 基于神经元MOS的模数匹配滤波器第80-104页
 6.1 CDMA通信系统介绍第80-82页
 6.2 传统的直扩数字匹配滤波器结构第82-83页
 6.3 用神经元MOS实现的匹配滤波器结构第83-86页
 6.4 基于神经元MOS的匹配滤波器电路单元第86-99页
  6.4.1 地址解码器及PN码滑动单元第86-88页
  6.4.2 采样保持单元第88-89页
  6.4.3 差分绝对值单元第89-91页
  6.4.4 求和及门限判决单元第91-92页
  6.4.5 一种新型的高精度神经元MOS源极跟随器第92-98页
  6.4.6 电路的投片制作及测试结果第98-99页
 6.5 结构上的改进第99-103页
 6.6 本章小结第103-104页
7 工作总结第104-108页
 7.1 主要工作和结论第104-106页
 7.2 主要创新点第106页
 7.3 工作展望第106-108页
致谢第108-109页
参考文献第109-121页
攻读博士学位期间发表的研究论文第121-122页

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