第一章 绪论 | 第1-17页 |
·光纤通信技术的发展现状 | 第9-10页 |
·光调制器的发展现状 | 第10-15页 |
·光调制器的分类 | 第10-12页 |
·光纤通信系统对光调制器的指标要求 | 第12页 |
·高速光调制器的研究现状及发展方向 | 第12-14页 |
·光纤型调制器的提出及其意义 | 第14-15页 |
·本论文的内容安排 | 第15页 |
·本论文的创新点 | 第15-17页 |
第二章 LiNbO_3光纤型光调制器的工作原理及性能分析 | 第17-24页 |
·LiNbO_3晶体材料简介 | 第17页 |
·LiNbO_3光纤型行波光调制器的理论分析 | 第17-19页 |
·调制器特性指标的分析 | 第19-23页 |
·微波等效折射率 | 第20页 |
·微波损耗 | 第20-21页 |
·3dB 调制带宽 | 第21页 |
·电极的特征阻抗及驻波比 | 第21-22页 |
·半波电压 | 第22页 |
·光插入损耗 | 第22-23页 |
·本章小结 | 第23-24页 |
第三章 有限元分析方法 | 第24-31页 |
·有限元法的电磁场应用简介 | 第24页 |
·有限元法电场求解的基本原理 | 第24-26页 |
·有限元法求解电场的具体实现 | 第26-28页 |
·有限元法的分析流程 | 第26页 |
·有限元法的网格划分 | 第26-27页 |
·有限元法的边界处理 | 第27页 |
·有限元法的后处理 | 第27-28页 |
·基于有限元法的优化分析 | 第28-30页 |
·优化分析流程 | 第28-29页 |
·优化方法及优化工具介绍 | 第29页 |
·优化的收敛准则 | 第29-30页 |
·本章小结 | 第30-31页 |
第四章 LiNbO_3光纤型行波光调制器的有限元分析 | 第31-46页 |
·无介质覆盖层的调制器的求解及性能分析 | 第31-39页 |
·网格划分 | 第31-32页 |
·有限元求解 | 第32-33页 |
·调制器的微波等效折射率n 和电极的特征阻抗Z_c 的分析 | 第33-35页 |
·电极的微波损耗特性的分析 | 第35-37页 |
·调制器的带宽的分析 | 第37-38页 |
·半波电压长度积的分析 | 第38-39页 |
·有介质覆盖层的调制器的求解及性能比较 | 第39-45页 |
·有限元网格划分及求解 | 第41页 |
·调制器的微波等效折射率n 和电极的特征阻抗Z_c 的分析与比较 | 第41-42页 |
·电极的微波损耗特性的分析与比较 | 第42-45页 |
·本章小结 | 第45-46页 |
第五章 优化与光特性分析 | 第46-55页 |
·优化的目标 | 第46页 |
·优化过程 | 第46-50页 |
·调制器的主要性能指标的计算过程 | 第47-49页 |
·插入损耗的计算 | 第49页 |
·优化分析及结论 | 第49-50页 |
·调制器的光特性分析 | 第50-54页 |
·无介质覆盖层的调制器的光特性 | 第50-53页 |
·有介质覆盖层的调制器的光特性 | 第53-54页 |
·本章小结 | 第54-55页 |
第六章 LiNbO_3光纤型行波光调制器的制作工艺探讨 | 第55-59页 |
·LiNbO_3光纤型行波光调制器的制作工艺探讨 | 第55-58页 |
·LiNbO_3晶片的选择及处理 | 第55-56页 |
·M-Z 干涉光路的制作 | 第56页 |
·LiNbO_3晶体光纤包层的制作 | 第56-57页 |
·将LiNbO_3晶体光纤型M-Z 干涉计粘在SiO_2基片上 | 第57页 |
·调制电极的制作 | 第57-58页 |
·电极与微波电路的连接 | 第58页 |
·本章小结 | 第58-59页 |
第七章 结论 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-64页 |
发表论文和参加科研情况 | 第64-65页 |
致谢 | 第65页 |