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双铁磁半导体结中磁电阻的理论研究

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第一章 绪论第9-35页
   ·引言第9-10页
   ·研究背景第10-15页
     ·电子的自旋极化隧穿第10-12页
     ·磁电阻效应第12-15页
   ·具有复杂结构的磁性隧道结中自旋极化电子的隧穿输运第15-28页
     ·FM/NM/I/(NM)/FM 型含非磁金属调制层的磁性隧道结第15-18页
     ·自旋过滤效应和双自旋过滤隧道结第18-24页
     ·磁性双隧道结第24-28页
   ·理论模型和计算方法第28-35页
     ·Julliere 模型第28-30页
     ·Slonczewski 近自由电子模型第30-35页
第二章 NM/FS1/FS2/NM 结的隧穿电导和隧穿磁电阻第35-45页
   ·引言第35页
   ·理论模型第35-41页
   ·计算结果及讨论第41-44页
   ·结论第44-45页
总结第45-46页
参考文献第46-51页
致谢第51-52页
研究生在校期间的科研成果第52页

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