| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| §1.1 引言 | 第7-9页 |
| §1.2 半导体激光器的发展状况 | 第9-12页 |
| §1.3 论文的主要内容 | 第12-13页 |
| 第二章 实验及测试原理 | 第13-26页 |
| §2.1 MBE生长工艺流程V80H分子束外延技术简介 | 第13-18页 |
| §2.2 光致发光分析技术 | 第18-21页 |
| §2.3 X射线双晶衍射原理以及实验方法 | 第21-26页 |
| 第三章 GaSb/GaAs材料的分子束外延生长与特性表征 | 第26-37页 |
| §3.1 实验仪器及样品 | 第26-27页 |
| §3.2 光荧光谱的理论计算方法 | 第27-32页 |
| §3.3 GaSb/GaAs材料的分子束外延生长与测试 | 第32-37页 |
| 第四章 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱生长及激光器结构设计 | 第37-54页 |
| §4.1 MBE生长工艺流程 | 第37-38页 |
| §4.2 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱的材料特性 | 第38-49页 |
| §4.3 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器的结构设计与生长 | 第49-53页 |
| §4.4 小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
