| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-12页 |
| §1.1 课题研究背景 | 第6页 |
| §1.2 掺铒硅基材料的发光 | 第6-9页 |
| §1.2.1 铒的发光原理 | 第6-7页 |
| §1.2.2 掺铒硅的发光机理 | 第7-9页 |
| §1.2.3 提高掺铒硅发光效率的有效途径 | 第9页 |
| §1.3 缺陷发光 | 第9-10页 |
| §1.4 本工作的研究意义及论文内容简介 | 第10-12页 |
| 第二章 样品的制备和表征手段 | 第12-19页 |
| §2.1 样品的制备 | 第12-14页 |
| §2.1.1 超高真空STM/AFM系统 | 第12-13页 |
| §2.1.2 生长源 | 第13页 |
| §2.1.3 样品的准备 | 第13-14页 |
| §2.2 表征手段 | 第14-18页 |
| §2.2.1 扫描隧道显微镜 | 第14-17页 |
| §2.2.2 光致发光潜的测量系统 | 第17-18页 |
| §2.3 铒相关纳米结构的制备及表征方法 | 第18-19页 |
| 第三章 SiO_2/Si(001)表面Er相关纳米结构 | 第19-25页 |
| §3.1 引言 | 第19页 |
| §3.2 超薄二氧化硅膜的制备及其性质 | 第19-21页 |
| §3.3 铒相关纳米结构在SiO_2/Si(001)表面的形成 | 第21-23页 |
| §3.4 讨论 | 第23-24页 |
| §3.5 小结 | 第24-25页 |
| 第四章 SiO_2/Si(001)表面Er相关纳米结构的光致发光性质研究 | 第25-34页 |
| §4.1 硅衬底的光致发光性质 | 第25页 |
| §4.2 铒相关纳米结构的PL谱随测量温度的变化 | 第25-33页 |
| §4.2.1 低温下的PL谱 | 第25-27页 |
| §4.2.2 PL谱随温度的变化关系 | 第27-31页 |
| §4.2.3 铒离子的PL谱的高斯拟合分析 | 第31-32页 |
| §4.2.4 结果讨论 | 第32-33页 |
| §4.3 小结 | 第33-34页 |
| 工作总结与展望 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 发表的学术论文 | 第38页 |
| 参加会议 | 第38-39页 |
| 致谢 | 第39-40页 |
