| 目录 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-21页 |
| ·量子计算的基本原理 | 第8-9页 |
| ·超导量子比特的工作原理 | 第9-18页 |
| ·超导量子比特的分类及其特性 | 第10-18页 |
| ·低温超导体Josephson结基础理论知识 | 第18-21页 |
| ·Josephson结器件的优势 | 第19-21页 |
| 第二章 超导隧道铌结的制备 | 第21-28页 |
| ·制备超导隧道结材料的选择 | 第21-22页 |
| ·超导材料的选择 | 第21-22页 |
| ·超导隧道结势垒层材料的选择 | 第22页 |
| ·超导隧道结(Nb/Al-AlOx/Nb)超导隧道结制备方法的简单介绍 | 第22-28页 |
| ·利用双层光刻胶进行曝光来制备超导隧道结掩膜结构 | 第23-24页 |
| ·利用磁控溅射法制备Nb/Al-AlOx/Nb超导隧道结 | 第24-25页 |
| ·用刻蚀法刻蚀出所需要的结区 | 第25-26页 |
| ·生长绝缘层保护结区 | 第26-27页 |
| ·溅射上引线铌层,划片测试 | 第27页 |
| ·采用三版光刻法和四版光刻法的优点 | 第27-28页 |
| 第三章 超导隧道结的RIE刻蚀条件及参数 | 第28-34页 |
| ·干法腐蚀和湿法腐蚀的比较 | 第28-29页 |
| ·等离子气体刻蚀法(RIE)介绍 | 第29-33页 |
| ·SF6刻蚀铌和SiO2参数 | 第31页 |
| ·CF4刻蚀铌和SiO2的参数 | 第31-32页 |
| ·CHF3+O2的刻蚀铌和SiO2的参数 | 第32-33页 |
| ·RIE后用原子力显微镜进行分析 | 第33页 |
| ·选择刻蚀条件的判断 | 第33-34页 |
| 第四章 采用PECVD法生长超导隧道结绝缘层 | 第34-38页 |
| ·传统的热蒸发SiO2和阳极氧化法 | 第34页 |
| ·PECVD介绍 | 第34-38页 |
| ·PECVD生长SiO2参数 | 第35-36页 |
| ·PECVD生长的SiO2用原子力显微镜来进行分析 | 第36页 |
| ·制备SiO2绝缘层厚度的选择 | 第36-38页 |
| 第五章 Nb/Al-AlOx/Nb超导隧道结特性的测量及结果分析 | 第38-40页 |
| 第六章 总结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 硕士期间研究成果(2009-2012) | 第45-46页 |
