ZnS/硅纳米孔柱阵列异质结构的电学性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·纳米材料 | 第10-11页 |
| ·ZnS的结构与性能 | 第11-13页 |
| ·多孔硅材料 | 第13-15页 |
| ·硅纳米孔柱阵列(Si-NPA) | 第15-21页 |
| ·Si-NPA的制备 | 第15-16页 |
| ·Si-NPA的表征与机理分析 | 第16-18页 |
| ·Si-NPA的表征 | 第16-17页 |
| ·Si-NPA的调控和特性 | 第17-18页 |
| ·基于Si-NPA复合体系的特性 | 第18-21页 |
| ·Ⅱ-ⅥB化合物半导体/Si-NPA的光电性能 | 第18-20页 |
| ·金属/Si-NPA | 第20页 |
| ·Si-NPA基纳米复合材料的传感性能 | 第20页 |
| ·CNT/Si-NPA的湿敏和场发射性能 | 第20-21页 |
| ·选题依据 | 第21-23页 |
| 第二章 ZnS/Si-NPA的制备与表征 | 第23-33页 |
| ·ZnS/Si-NPA的制备 | 第23页 |
| ·制备条件对样品形貌和成分的影响 | 第23-31页 |
| ·浓度的影响 | 第23-29页 |
| ·退火温度的影响 | 第29-30页 |
| ·硫盐类型及生长类型的影响 | 第30-31页 |
| ·论文中用到的原料及实验仪器总汇 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 ZnS/Si-NPA的电学性能研究 | 第33-48页 |
| ·异质结器件的制备 | 第33-35页 |
| ·背面Ag电极的制备 | 第33-34页 |
| ·正面ITO电极的制备 | 第34-35页 |
| ·异质结器件的电学性能 | 第35-46页 |
| ·ZnS/Si-NPA电学特性的测试原理 | 第35-37页 |
| ·ZnS/Si-NPA的电学性能 | 第37-41页 |
| ·空间限制电荷模型 | 第41-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 ZnS/Si-NPA的场发射性能研究 | 第48-63页 |
| ·场致发射的基本原理 | 第48-49页 |
| ·场发射实验装置及测试原理 | 第49-50页 |
| ·ZnS/Si-NPA的场发射研究 | 第50-61页 |
| ·ZnCl_2溶液浓度对样品场发射的影响 | 第50-52页 |
| ·场发射场发射机制研究 | 第52-55页 |
| ·场发射的稳定性研究 | 第55-59页 |
| ·形貌对场发射性能影响研究 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-66页 |
| 参考文献 | 第66-77页 |
| 硕士期间发表论文 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
