| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·半导体激光器发展概况 | 第8-11页 |
| ·锑化物半导体激光器研究进展 | 第11-16页 |
| ·锑化物材料在探测器方面的应用 | 第16-17页 |
| 第二章 分子束外延(MBE)技术简介 | 第17-26页 |
| ·分子束外延技术原理 | 第17-20页 |
| ·分子束外延技术的优点 | 第20页 |
| ·影响分子束外延生长的因素 | 第20-22页 |
| ·分子束外延生长的基本过程 | 第22-26页 |
| 第三章 多元锑化物材料的基本性质及能带跃迁计算 | 第26-44页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族锑化物材料基本参数计算 | 第27-37页 |
| ·InGaAsSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器材料的子带跃迁 | 第37-44页 |
| 第四章 InGaAsSb/AlGaAsSb材料的MBE生长与特性研究 | 第44-54页 |
| ·InGaAsSb,AlGaAsSb单层材料的制备 | 第44-47页 |
| ·材料的测试表征方法 | 第47-48页 |
| ·材料表面特性及界面特性的扫描电镜(SEM)研究 | 第48-49页 |
| ·材料结构特性的双晶X射线衍射(XRD)研究 | 第49-50页 |
| ·InGaAsSb材料的电学特性研究 | 第50-51页 |
| ·InGaAsSb/AlGaAsSb材料的临界厚度对应变的影响 | 第51-52页 |
| ·InGaAsSb/AlGaAsSb单量子阱材料的光荧光(PL)特性 | 第52-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
