| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·高功率半导体激光器的研究进展 | 第8-10页 |
| ·有关半导体量子阱激光器的理论分析 | 第10-11页 |
| ·980nm应变量子阱激光器 | 第11-13页 |
| ·本论文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 应变量子阱激光器的原理和特性 | 第14-29页 |
| ·量子尺寸效应和量子能级 | 第14-15页 |
| ·应变、晶格失配与临界厚度 | 第15-19页 |
| ·InGaAs应变量子阱激光器特性 | 第19-25页 |
| ·InGaAs/GaAs应变量子阱激光器的可靠性分析 | 第25-29页 |
| 第三章 高功率单模980nm脊形量子阱半导体激光器的结构设计 | 第29-38页 |
| ·980nm单模脊形量子阱半导体激光器中的量子阱的设计 | 第29-31页 |
| ·980nm单模脊形量子阱半导体激光器结构优化设计 | 第31-38页 |
| 第四章 980nm脊形量子阱半导体激光器的制备工艺设计和分析 | 第38-47页 |
| ·欧姆接触工艺的优化设计 | 第38-40页 |
| ·腔面镀膜工艺的优化设计 | 第40-47页 |
| 第五章 980nm单模脊形量子阱半导体激光器的制备工艺 | 第47-60页 |
| ·器件制备的工艺流程 | 第47页 |
| ·外延生长 | 第47-53页 |
| ·高光束质量量子阱激光器外延材料的检测和分析 | 第53-56页 |
| ·高功率980nm脊形量子阱半导体激光器制备后工艺流程 | 第56-57页 |
| ·器件特性及结论 | 第57-60页 |
| 总结 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 文献参考 | 第62-63页 |
