| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| ·研究背景 | 第8页 |
| ·PZT铁电材料简介 | 第8-9页 |
| ·电极材料 | 第9-11页 |
| ·Si基取向性薄膜生长工艺研究现状 | 第11-16页 |
| ·取向薄膜制备技术 | 第11-12页 |
| ·薄膜取向生长影响因素 | 第12-14页 |
| ·PZT/LaNiO_3薄膜取向生长研究现状 | 第14-16页 |
| ·本课题的内容和意义 | 第16-18页 |
| 2 实验方法及实验设备 | 第18-30页 |
| ·研究思路及方案 | 第18-19页 |
| ·实验内容 | 第19-23页 |
| ·LaNiO_3溶胶制备工艺研究 | 第19页 |
| ·LaAlO_3基(100)取向LaNiO_3薄膜制备及性能测试 | 第19-20页 |
| ·Si基(100)取向LaNiO_3薄膜的制备及影响因素研究 | 第20-21页 |
| ·PZT溶胶的制备 | 第21-22页 |
| ·(001)PZT/(100)LaNiO_3/Si多层结构的制备及性能测试 | 第22-23页 |
| ·实验仪器设备 | 第23-28页 |
| ·薄膜制备设备 | 第23页 |
| ·薄膜性能的表征仪器 | 第23-28页 |
| ·实验试剂 | 第28-30页 |
| 3 (100)取向LaNiO_3薄膜制备及取向生长影响因素探讨 | 第30-44页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·LaNiO_3溶胶制备工艺 | 第30-32页 |
| ·LaAlO_3单晶基LaNiO_3薄膜制备及取向生长研究 | 第32-35页 |
| ·(100)LaNiO_3/LaAlO_3结构分析 | 第32-34页 |
| ·厚度对于薄膜电阻率的影响 | 第34-35页 |
| ·Si基(100)取向LaNiO_3制备及性能研究 | 第35-42页 |
| ·金属离子浓度对LaNiO_3薄膜取向的影响 | 第35-37页 |
| ·溶剂对LaNiO_3薄膜取向的影响 | 第37-38页 |
| ·热处理工艺对LaNiO_3薄膜取向的影响 | 第38-40页 |
| ·不同取向Si单晶基板对LaNiO_3取向的影响 | 第40-41页 |
| ·Si基LaNiO_3薄膜表面形貌分析 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42-44页 |
| 4 (001)PZT/(100)LaNiO_3/Si薄膜制备及性能研究 | 第44-56页 |
| ·概述 | 第44页 |
| ·Si基(001)PZT/(100)LaNiO_3薄膜制备及性能研究 | 第44-54页 |
| ·取向性PZT/LaNiO_3/Si薄膜制备 | 第44页 |
| ·Si基取向性PZT/LaNiO_3/Si薄膜XRD分析 | 第44-47页 |
| ·LaAlO_3单晶衬底PZT/LaNiO_3薄膜取向结构分析 | 第47页 |
| ·取向PZT/LaNiO_3/Si薄膜表面形貌分析 | 第47-49页 |
| ·Si基取向PZT薄膜铁电性能测试 | 第49-51页 |
| ·Si基(001)取向PZT电性能研究 | 第51-54页 |
| ·小结 | 第54-56页 |
| 5 结论 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 作者在硕士期间撰写和发表的论文 | 第66页 |
