| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-21页 |
| ·铁电薄膜 | 第10-14页 |
| ·铁电薄膜的晶体结构 | 第10-12页 |
| ·铁电薄膜的研究热点 | 第12页 |
| ·铁电薄膜的应用 | 第12-13页 |
| ·铁电薄膜的制备方法 | 第13-14页 |
| ·薄膜中的应力 | 第14-16页 |
| ·应变效应 | 第16页 |
| ·GaN 薄膜 | 第16-19页 |
| ·GaN 的物理性质 | 第16-17页 |
| ·GaN 薄膜的应用 | 第17-18页 |
| ·GaN 的制备方法 | 第18页 |
| ·生长工艺 | 第18-19页 |
| ·金属有机化学气相沉积法(MOCVD) | 第19页 |
| ·本论文的选题依据和主要内容 | 第19-21页 |
| ·选题依据 | 第19-20页 |
| ·本文的研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 实验平台构建 | 第21-29页 |
| ·实验仪器简介 | 第21-22页 |
| ·多晶薄膜应力测量的X 射线衍射法及原理 | 第22-23页 |
| ·外延薄膜的高分辨X 射线衍射表征方法及原理 | 第23-29页 |
| ·双晶衍射与三轴晶衍射 | 第24页 |
| ·实空间的布拉格衍射基本原理 | 第24-25页 |
| ·倒易空间的基本原理 | 第25-27页 |
| ·倒易空间的实验扫描模式 | 第27-29页 |
| 第三章 自缓冲层对Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜结构和性能的影响 | 第29-37页 |
| ·背景 | 第29页 |
| ·实验简介 | 第29-31页 |
| ·样品的制备 | 第29页 |
| ·微结构表征与应力测试 | 第29-31页 |
| ·实验结果与讨论 | 第31-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第四章 B 位Hf~(4+)掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜结构和性能的影响 | 第37-45页 |
| ·背景 | 第37页 |
| ·实验简介 | 第37-38页 |
| ·样品制备 | 第37-38页 |
| ·微结构与应变表征 | 第38页 |
| ·实验结果与讨论 | 第38-44页 |
| ·结论 | 第44-45页 |
| 第五章 GaN 薄膜缺陷结构的高分辨X 射线衍射 | 第45-55页 |
| ·背景 | 第45页 |
| ·实验 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-53页 |
| ·倒易空间图 | 第47-49页 |
| ·镶嵌结构的测量 | 第49-50页 |
| ·缺陷密度的测量 | 第50-53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 第六章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第63-64页 |