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高次谐波腔的初步研究

摘要第1-5页
Abstract第5-8页
第1章 引言第8-16页
   ·提高束流寿命的几种方法第8-9页
   ·高次谐波腔的国内外研究及应用现状第9-15页
   ·本文的研究内容第15-16页
第2章 理想状况下加入高次谐波腔后 Touschek寿命改善因子的理论推导第16-31页
   ·粒子的纵向运动方程第16-19页
     ·时间偏差第16-17页
     ·能量偏差第17-18页
     ·势能函数第18-19页
   ·最优束团长度时的拉伸条件第19-20页
   ·被动式谐波腔第20-23页
   ·束团拉伸前后的Touschek 寿命比率第23-24页
   ·最大动量接受度第24-29页
   ·最优化条件的不同定义第29-30页
   ·小结第30-31页
第3章 高次谐波腔中的束流负载效应第31-39页
   ·粒子跟踪模型第31-32页
   ·发射机产生的腔压第32-33页
   ·束流的感应电压第33-38页
   ·小结第38-39页
第4章 三次谐波腔的设计和计算第39-59页
   ·腔型的选择第39-40页
   ·谐波腔的计算第40-56页
     ·无损腔的计算第40-50页
     ·加入SiC 管道第50-54页
     ·加入同轴耦合器第54-56页
   ·高频腔的调谐第56-58页
   ·小结第58-59页
第5章 结论与展望第59页

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