| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·非晶态材料发展回顾 | 第7-8页 |
| ·非晶态材料的主要特征 | 第8-9页 |
| ·非晶态材料结构的表征方法 | 第9-12页 |
| ·研究目的及意义 | 第12-13页 |
| 第二章 非晶态材料基本光电性质及主要的制备方法 | 第13-27页 |
| ·影响非晶态材料光电性质的因素 | 第13-15页 |
| ·非晶态材料基本光电性质 | 第15-23页 |
| ·非晶态材料的主要制备方法 | 第23-27页 |
| 第三章 磁控溅射a-InGaAs薄膜的制备及光电特性研究 | 第27-39页 |
| ·磁控溅射原理及薄膜的生长过程 | 第27-30页 |
| ·a-InGaAs薄膜的制备工艺及组分分析 | 第30-31页 |
| ·a-InGaAs薄膜的结构分析 | 第31-34页 |
| ·a-InGaAs薄膜光学带隙及光学常数 | 第34-38页 |
| ·a-InGaAs薄膜的载流子输运性质分析 | 第38-39页 |
| 第四章 MBE制备a-InGaAs薄膜材料及光电性质研究 | 第39-44页 |
| ·a-InGaAs薄膜材料的制备及结构分析 | 第39-41页 |
| ·a-InGaAs薄膜的电学性质 | 第41-42页 |
| ·a-InGaAs薄膜的光学性质 | 第42-44页 |
| 第五章 a-InGaAs:H薄膜的制备以及掺氢对结构及光电特性的影响 | 第44-49页 |
| ·a-InGaAs:H薄膜的制备工艺 | 第44页 |
| ·a-InGaAs:H薄膜的制备以及氢的钝化作用 | 第44-46页 |
| ·a-InGaAs:H薄膜光学带隙的分析 | 第46-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及申请的专利 | 第53页 |
