| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 第一章:前言 | 第12-14页 |
| 第二章:文献综述 | 第14-43页 |
| ·ZnO的基本结构、物理和化学性质 | 第14-19页 |
| ·ZnO体单晶生长以及它的电学和光学性能 | 第19-24页 |
| ·ZnO、ZnMgO薄膜制备、掺杂和光电器件 | 第24-31页 |
| ·ZnO、ZnMgO中的n型掺杂 | 第24页 |
| ·ZnO、ZnMgO中的p型掺杂 | 第24-31页 |
| ·ZnO和ZnMgO纳米结构的光电性能、掺杂及应用 | 第31-41页 |
| ·博士课题的提出 | 第41-43页 |
| 第三章:生长设备、方法和测试手段 | 第43-56页 |
| ·MOCVD | 第43-47页 |
| ·自制MOCVD生长设备 | 第44-46页 |
| ·MOCVD实验工艺过程 | 第46-47页 |
| ·VPT | 第47页 |
| ·PLD | 第47-53页 |
| ·PLD的发展历史 | 第47-49页 |
| ·PLD的基本原理 | 第49-50页 |
| ·PLD生长实验系统 | 第50-52页 |
| ·PLD中靶材的制备 | 第52-53页 |
| ·PLD中薄膜和纳米结构制备过程 | 第53页 |
| ·测试和表征手段 | 第53-56页 |
| 第四章:ZnO纳米线的施主及表面缺陷研究 | 第56-82页 |
| ·Al、In掺杂ZnO纳米线生长 | 第56-64页 |
| ·Al、In在ZnO纳米线中的施主能级 | 第64-72页 |
| ·MOCVD方法生长的ZnO纳米线表面质量 | 第72-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第五章:Na掺杂p型ZnO和ZnMgO薄膜 | 第82-117页 |
| ·引言:为什么选择Na掺杂? | 第82-84页 |
| ·Na掺杂p型ZnO导电类型的证明 | 第84-90页 |
| ·Na掺杂引入的受主能级 | 第90-91页 |
| ·生长温度对ZnO:Na薄膜电学性能的影响 | 第91-94页 |
| ·Na掺杂含量对ZnO:Na薄膜电学性能的影响 | 第94-98页 |
| ·生长氧压对ZnO:Na薄膜电学性能的影响 | 第98页 |
| ·氢原子对Na受主的作用 | 第98-100页 |
| ·晶界和O吸附对ZnO:Na薄膜电学性能的影响 | 第100-106页 |
| ·ZnO:Na薄膜的p型导电机理 | 第106-107页 |
| ·O Na掺杂p型ZnMgO薄膜 | 第107-113页 |
| ·Na掺杂p型ZnO基ZnO/ZnMgO多量子阱LED | 第113-116页 |
| ·本章小结 | 第116-117页 |
| 第六章:受主掺杂ZnO和ZnMgO纳米线 | 第117-133页 |
| ·P掺杂的ZnO纳米线阵列 | 第117-120页 |
| ·结合薄膜和纳米技术制备单晶体ZnO:Na和ZnMgO:Na材料 | 第120-132页 |
| ·本章小结 | 第132-133页 |
| 第七章:总结 | 第133-137页 |
| 参考文献 | 第137-157页 |
| 作者简历 | 第157-159页 |
