光通信系统中宽带高功率单行载流子光探测器的研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-14页 |
| 1.2 主要工作及结构安排 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-17页 |
| 第二章 光通信系统中的单行载流子光探测器 | 第17-53页 |
| 2.1 光通信系统中的光探测器 | 第17-20页 |
| 2.2 UTC-PD的研究现状 | 第20-27页 |
| 2.2.1 高功率UTC-PD | 第20-24页 |
| 2.2.2 宽带UTC-PD | 第24-25页 |
| 2.2.3 零偏压和低偏压UTC-PD | 第25-27页 |
| 2.3 UTC-PD的理论分析 | 第27-44页 |
| 2.3.1 UTC-PD的理论近似计算公式 | 第30-37页 |
| 2.3.2 UTC-PD的最大输出功率 | 第37-39页 |
| 2.3.3 UTC-PD输出功率的限制因素 | 第39-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-53页 |
| 第三章 零偏压单行载流子光探测器的设计与研究 | 第53-76页 |
| 3.1 数值计算方法简介 | 第54-58页 |
| 3.1.1 数值计算方法 | 第54-55页 |
| 3.1.2 数值计算结果与实验结果相比 | 第55-58页 |
| 3.2 结构设计和分析 | 第58-66页 |
| 3.2.1 设计思路 | 第58页 |
| 3.2.2 设计吸收层 | 第58-62页 |
| 3.2.2.1 梯度掺杂吸收层 | 第58-60页 |
| 3.2.2.2 梯度带隙吸收层 | 第60-61页 |
| 3.2.2.3 梯度掺杂和梯度带隙吸收层 | 第61-62页 |
| 3.2.2.4 Ⅱ型能带 | 第62页 |
| 3.2.3 设计间隔层 | 第62-65页 |
| 3.2.4 收集层设计 | 第65-66页 |
| 3.3 优化后的零偏置UTC-PD的输出功率 | 第66-68页 |
| 3.4 对比PIN-PD与UTC-PD | 第68-69页 |
| 3.5 对称型背靠背UTC-PD | 第69-72页 |
| 3.6 本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 第四章 电荷补偿的零偏置或低偏置UTC-PD | 第76-92页 |
| 4.1 零偏置下的UTC-PD | 第77-81页 |
| 4.2 低偏压下的UTC-PD | 第81-85页 |
| 4.3 蘑菇型台面UTC-PD | 第85-87页 |
| 4.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-92页 |
| 第五章 时域仿真设计宽带高功率UTC-PD | 第92-105页 |
| 5.1 数值计算结果与实验结果对比 | 第92-94页 |
| 5.2 设计与分析 | 第94-101页 |
| 5.3 本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-105页 |
| 第六章 制备具有低串联电阻的光探测器 | 第105-120页 |
| 6.1 台面结构光探测器的制备工艺流程 | 第105-106页 |
| 6.2 磁控溅射沉积金属接触层工艺 | 第106-107页 |
| 6.3 欧姆接触 | 第107-110页 |
| 6.4 光探测器的设计和制备 | 第110-112页 |
| 6.5 PIN-PD实验结果和讨论 | 第112-116页 |
| 6.6 UTC-PD实验结果 | 第116页 |
| 6.7 本章小结 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-120页 |
| 第七章 零偏置UTC-PD的制备及测试 | 第120-131页 |
| 7.1 器件设计和制备 | 第120-121页 |
| 7.2 暗电流和频率响应测试结果及讨论 | 第121-126页 |
| 7.3 直流及射频饱和测试结果 | 第126-128页 |
| 7.4 本章小结 | 第128-130页 |
| 参考文献 | 第130-131页 |
| 第八章 总结与展望 | 第131-134页 |
| 8.1 总结 | 第131-133页 |
| 8.2 展望 | 第133-134页 |
| 致谢 | 第134-136页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第136-137页 |
