| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-41页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 光电化学分解水制氢 | 第12-18页 |
| 1.2.1 光电化学制氢原理 | 第12-15页 |
| 1.2.2 光电化学制氢性能表征 | 第15-18页 |
| 1.3 纳米阵列结构光电极的优势分析 | 第18-24页 |
| 1.3.1 纳米线阵列光电极 | 第19-21页 |
| 1.3.2 纳米片阵列光电极 | 第21-22页 |
| 1.3.3 三维分级纳米阵列光电极 | 第22-24页 |
| 1.4 铜基硫属化合物的光电化学制氢应用 | 第24-31页 |
| 1.4.1 黄铜矿光阴极研究进展 | 第25-28页 |
| 1.4.2 锌黄锡矿光阴极研究进展 | 第28-29页 |
| 1.4.3 纳米阵列光阴极研究现状 | 第29-31页 |
| 1.5 本论文的选题思路及研究内容 | 第31-33页 |
| 1.5.1 论文选题思路 | 第31页 |
| 1.5.2 论文研究内容 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-41页 |
| 第二章 Cu_2S纳米线阵列的可控生长及光电化学性能研究 | 第41-65页 |
| 2.1 引言 | 第41-43页 |
| 2.2 材料表征及性能测试方法 | 第43-46页 |
| 2.2.1 材料表征 | 第43-44页 |
| 2.2.2 性能测试 | 第44-46页 |
| 2.3 Cu_2S纳米线阵列的可控生长 | 第46-54页 |
| 2.3.1 气-固反应制备方法 | 第46-48页 |
| 2.3.2 实验参数的影响 | 第48-54页 |
| 2.4 Cu_2S纳米线阵列的光电化学性能 | 第54-61页 |
| 2.4.1 形貌对陷光性能的影响 | 第54-56页 |
| 2.4.2 光电化学性能 | 第56-58页 |
| 2.4.3 形貌对光电化学性能的影响 | 第58-61页 |
| 2.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 第三章 碳量子点增强Cu_2S纳米线阵列光电化学性能研究 | 第65-88页 |
| 3.1 引言 | 第65-66页 |
| 3.2 CQDs的制备及相关表征 | 第66-69页 |
| 3.2.1 制备方法 | 第66-67页 |
| 3.2.2 形貌及光学性能 | 第67-69页 |
| 3.3 Cu_2S/CQDs纳米线阵列的制备 | 第69-73页 |
| 3.3.1 制备方法 | 第69-70页 |
| 3.3.2 形貌及成分的表征 | 第70-73页 |
| 3.4 Cu_2S/CQDs纳米线阵列的光电化学性能 | 第73-83页 |
| 3.4.1 光电化学性能 | 第73-75页 |
| 3.4.2 CQDs的量对光电化学性能的影响 | 第75-80页 |
| 3.4.3 探究CQDs提升光电化学性能的原因 | 第80-83页 |
| 3.5 本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 第四章 CuInS_2纳米线阵列的自牺牲模板法制备及光电化学性能研究 | 第88-111页 |
| 4.1 引言 | 第88-89页 |
| 4.2 实验方法 | 第89-90页 |
| 4.2.1 纳米线阵列的制备 | 第89-90页 |
| 4.2.2 修饰CdS量子点 | 第90页 |
| 4.3 CuInS_2纳米线阵列的制备 | 第90-98页 |
| 4.3.1 反应时间的影响 | 第90-94页 |
| 4.3.2 前驱体浓度的影响 | 第94-95页 |
| 4.3.3 生长机制分析 | 第95-98页 |
| 4.4 CuInS_2纳米线阵列的光电化学性能 | 第98-106页 |
| 4.4.1 陷光性能 | 第98-99页 |
| 4.4.2 CuInS_2/CdS纳米线阵列的表征 | 第99-100页 |
| 4.4.3 光电化学性能 | 第100-105页 |
| 4.4.4 光电化学分解水机制 | 第105-106页 |
| 4.5 本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-111页 |
| 第五章 CuInS_2纳米片构筑纳米线阵列的制备及光电化学性能研究 | 第111-133页 |
| 5.1 引言 | 第111-112页 |
| 5.2 CuInS_2纳米片构筑纳米线阵列的制备 | 第112-119页 |
| 5.2.1 反应时间的影响 | 第112-118页 |
| 5.2.2 生长机制分析 | 第118-119页 |
| 5.3 CuInS_2纳米片构筑纳米线阵列的光电化学性能 | 第119-126页 |
| 5.3.1 陷光性能 | 第119-120页 |
| 5.3.2 CuInS_2/CdS纳米片构筑纳米线阵列的表征 | 第120-122页 |
| 5.3.3 光电化学性能 | 第122-126页 |
| 5.4 CuInS_2超薄纳米片的密度泛函理论计算 | 第126-128页 |
| 5.4.1 方法介绍 | 第126-127页 |
| 5.4.2 结果讨论 | 第127-128页 |
| 5.5 本章小结 | 第128-129页 |
| 参考文献 | 第129-133页 |
| 第六章 In_2S_3纳米片阵列光阳极及模板法制备CuInS_2光阴极研究 | 第133-168页 |
| 6.1 引言 | 第133-134页 |
| 6.2 In_2S_3纳米片阵列的可控生长及光电化学性能 | 第134-141页 |
| 6.2.1 制备方法 | 第134-135页 |
| 6.2.2 反应时间的影响 | 第135-138页 |
| 6.2.3 前驱体浓度的影响 | 第138页 |
| 6.2.4 光电化学性能 | 第138-141页 |
| 6.3 溅射法修饰ZnO层以增强In_2S_3 的光电化学性能 | 第141-149页 |
| 6.3.1 制备方法 | 第141页 |
| 6.3.2 ZnO薄膜的形貌及性能 | 第141-142页 |
| 6.3.3 形貌及结构表征 | 第142-145页 |
| 6.3.4 光电化学性能 | 第145-149页 |
| 6.4 ALD法修饰ZnO层以增强In_2S_3 的光电化学性能 | 第149-162页 |
| 6.4.1 制备方法 | 第149页 |
| 6.4.2 ZnO薄膜的性能 | 第149-151页 |
| 6.4.3 形貌及结构表征 | 第151-153页 |
| 6.4.4 光学性能 | 第153-155页 |
| 6.4.5 光电化学性能 | 第155-159页 |
| 6.4.6 In_2S_3/ZnO异质结分析 | 第159-162页 |
| 6.5 In_2S_3自牺牲模板法制备CuInS_2纳米片阵列光阴极 | 第162-165页 |
| 6.5.1 制备方法 | 第162-163页 |
| 6.5.2 形貌及成分的表征 | 第163-164页 |
| 6.5.3 光电化学性能 | 第164-165页 |
| 6.6 本章小结 | 第165-166页 |
| 参考文献 | 第166-168页 |
| 第七章 总结与展望 | 第168-172页 |
| 7.1 论文总结 | 第168-170页 |
| 7.2 论文创新点 | 第170页 |
| 7.3 论文展望 | 第170-172页 |
| 致谢 | 第172-173页 |
| 攻读博士学位期间的文章、专利及荣誉 | 第173-177页 |
