| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究状况 | 第10-13页 |
| 1.3 本课题主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第2章 IGBT原理、封装和失效理论 | 第14-27页 |
| 2.1 IGBT的结构原理和特性 | 第14-16页 |
| 2.1.1 IGBT的元胞结构 | 第14-15页 |
| 2.1.2 IGBT的工作原理和输出特性 | 第15-16页 |
| 2.2 压接式IGBT模块 | 第16-18页 |
| 2.2.1 压接式IGBT模块结构特点 | 第17-18页 |
| 2.3 IGBT芯片失效的理论 | 第18-26页 |
| 2.3.1 热击穿 | 第19-20页 |
| 2.3.2 电荷效应和电子迁移引发的失效 | 第20-21页 |
| 2.3.3 闭锁失效 | 第21-23页 |
| 2.3.4 雪崩击穿 | 第23-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 模块极限电流分断实验 | 第27-36页 |
| 3.1 双脉冲电路和其工作原理 | 第27-30页 |
| 3.1.1 实验电路原理 | 第27-29页 |
| 3.1.2 实验协议 | 第29-30页 |
| 3.2 实验测量和结果 | 第30-32页 |
| 3.3 开盖检测分析 | 第32-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 仿真分析 | 第36-58页 |
| 4.1 Saber与AnsysQ3dExtractor介绍 | 第36-37页 |
| 4.1.1 Saber介绍 | 第36-37页 |
| 4.1.2 AnsysQ3dExtractor介绍 | 第37页 |
| 4.2 模块等效电路模型 | 第37-40页 |
| 4.3 寄生提取设置和提取结果 | 第40-42页 |
| 4.4 IGBT芯片失效的等效电路 | 第42-44页 |
| 4.4.1 热击穿和栅氧层击穿 | 第42-43页 |
| 4.4.2 动态闭锁的等效 | 第43-44页 |
| 4.5 失效仿真分析 | 第44-52页 |
| 4.6 模块电流分布和改进措施 | 第52-56页 |
| 4.6.1 改进措施 | 第53-56页 |
| 4.7 本章小结 | 第56-58页 |
| 第5章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 结论 | 第58页 |
| 5.2 工作展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 附录: 发射极寄生参数提取结果 | 第63-66页 |
| 致谢 | 第66页 |