| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-31页 |
| 1.1 引言 | 第17-18页 |
| 1.2 RRAM技术回顾 | 第18-19页 |
| 1.3 RRAM特点 | 第19-22页 |
| 1.3.1 RRAM单元器件结构与性能参数 | 第19-21页 |
| 1.3.2 RRAM阻变行为分类 | 第21-22页 |
| 1.4 RRAM阻变机制分类 | 第22-25页 |
| 1.4.1 热化学记忆效应 | 第23-24页 |
| 1.4.2 价变记忆效应 | 第24-25页 |
| 1.5 RRAM器件中的物理机制 | 第25-27页 |
| 1.6 柔性器件的相关介绍 | 第27-29页 |
| 1.6.1 柔性电子技术与柔性半导体器件 | 第27-28页 |
| 1.6.2 制备柔性半导体薄膜的技术 | 第28-29页 |
| 1.7 本论文工作的研究意义与内容 | 第29-31页 |
| 第二章 PLD系统、表征与测试设备的介绍 | 第31-43页 |
| 2.1 脉冲激光沉积系统(PLD)介绍 | 第31-38页 |
| 2.1.1 PLD发展历史及其特点 | 第31-32页 |
| 2.1.2 PLD结构与原理的介绍 | 第32-35页 |
| 2.1.3 PLD制膜原理 | 第35-38页 |
| 2.1.4 PLD设备的优势 | 第38页 |
| 2.2 薄膜材料的表征以及器件测试设备的介绍 | 第38-41页 |
| 2.2.1 原子力显微镜(AFM) | 第38-39页 |
| 2.2.2 高分辨X射线衍射(HRXRD) | 第39-40页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第40-41页 |
| 2.2.4 半导体器件参数分析仪(B1500A) | 第41页 |
| 2.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 Nb:SrTiO_3薄膜的生长及器件的制备 | 第43-63页 |
| 3.1 Nb:SrTiO_3材料的生长与优化 | 第43-48页 |
| 3.1.1 前期准备环节 | 第43-44页 |
| 3.1.2 材料生长 | 第44-45页 |
| 3.1.3 在SrTiO_3衬底上生长的Nb:SrTiO_3薄膜质量优化 | 第45-48页 |
| 3.2 不同结构的Nb:SrTiO_3薄膜的生长与器件的制备 | 第48-60页 |
| 3.2.1 衬底上的器件(平面结构) | 第48-50页 |
| 3.2.2 衬底上的器件(垂直结构1) | 第50-51页 |
| 3.2.3 湿法剥离制备的器件(垂直结构2) | 第51-56页 |
| 3.2.4 范德华外延制备的器件(垂直结构3) | 第56-59页 |
| 3.2.5 不同结构器件的物理 | 第59-60页 |
| 3.3 本章小结 | 第60-63页 |
| 第四章 Nb:SrTiO_3的阻变特性研究 | 第63-79页 |
| 4.1 刚性衬底上的器件的阻变性质 | 第63-66页 |
| 4.1.1 器件的阻变(平面结构) | 第63-64页 |
| 4.1.2 器件的阻变(垂直结构1) | 第64-66页 |
| 4.2 湿法剥离制备的器件的阻变性质(垂直结构2) | 第66-69页 |
| 4.2.1 器件的阻态调控 | 第66-68页 |
| 4.2.2 器件在阻态调控过程中限制电流的影响 | 第68-69页 |
| 4.3 范德华外延制备的器件的阻变性质(垂直结构3) | 第69-76页 |
| 4.3.1 器件的阻态调控 | 第70-72页 |
| 4.3.2 器件的阻态的保持特性 | 第72页 |
| 4.3.3 器件的阻态调控的循环重复特性以及其意义 | 第72-73页 |
| 4.3.4 弯曲对于柔性阻变器件的影响以及意义 | 第73-76页 |
| 4.4 本章小结 | 第76-79页 |
| 第五章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 5.1 论文总结 | 第79-80页 |
| 5.2 工作展望 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 作者简介 | 第87-88页 |
| 1.基本情况 | 第87页 |
| 2.教育背景 | 第87页 |
| 3.攻读硕士学位期间的研究成果 | 第87-88页 |
| 3.1 发表学术论文 | 第87页 |
| 3.2 申请(授权)专利 | 第87页 |
| 3.3 参与科研项目及获奖 | 第87-88页 |
