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多引脚相变存储阵列的封装及测试研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-16页
    1.1 引言第9页
    1.2 相变存储器第9-12页
    1.3 高密度多引脚芯片封装第12-14页
    1.4 相变存储阵列测试第14-15页
    1.5 论文结构安排第15-16页
2 多引脚高密度相变存储阵列封装第16-26页
    2.1 引言第16页
    2.2 多引脚高密度芯片封装结构设计第16-21页
    2.3 32Mbits相变存储阵列封装结果分析第21-25页
    2.4 本章小结第25-26页
3 32Mbits相变存储阵列测试方法研究第26-46页
    3.1 引言第26-27页
    3.2 相变存储阵列特性分析第27-29页
    3.3 32Mbits相变存储阵列测试方案设计第29-31页
    3.4 32Mbits相变存储阵列芯片选址第31-38页
    3.5 32Mbits相变存储阵列寿命测试方法研究第38-39页
    3.6 32Mbits相变存储阵列热串扰测试方法研究第39-45页
    3.7 本章小结第45-46页
4 相变存储阵列测试结果分析第46-59页
    4.1 32Mbits单元性能测试结果分析第46-48页
    4.2 阵列寿命测试结果分析第48-52页
    4.3 热串扰测试结果分析第52-58页
    4.4 本章小结第58-59页
5 总结与展望第59-60页
致谢第60-61页
参考文献第61-66页
附录 攻读硕士学位期间发表的专利第66页

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