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基于人工微结构光子禁带的反射式色散器件研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第11-20页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 光子晶体概述第12-14页
    1.3 光子晶体中的色散研究现状第14-17页
    1.4 表面修饰与光子晶体阻抗第17-18页
    1.5 本论文主要工作内容第18-20页
第二章 光子晶体的研究基础第20-30页
    2.1 引言第20页
    2.2 平面波展开法第20-26页
        2.2.1 无源非磁性电介质中的波动方程第20-21页
        2.2.2 光子晶体中的电磁场本征方程第21-23页
        2.2.3 二维光子晶的介电函数的Fourier变换第23-25页
        2.2.4 光子晶体平面波展开法计算小结第25-26页
    2.3 时域有限差分法第26-30页
        2.3.1 Maxwell方程的差分形式第26-28页
        2.3.2 FDTD稳定条件第28-29页
        2.3.3 边界条件和激励源第29-30页
第三章 端面修饰对禁带反射位相的影响第30-48页
    3.1 引言第30页
    3.2 理论方法第30页
    3.3 端面截断对二维光子晶体禁带反射位相的影响第30-41页
        3.3.1 二维正方晶格TM模第31-33页
        3.3.2 二维正方晶格TE模第33-36页
        3.3.3 二维三角晶格TM模第36-38页
        3.3.4 二维三角晶格TE模第38-41页
    3.4 端面圆柱半径对二维光子晶体禁带反射位相的影响第41-47页
        3.4.1 二维正方晶格TM模第41-42页
        3.4.2 二维正方晶格TE模第42-44页
        3.4.3 二维三角晶格TM模第44-45页
        3.4.4 二维三角晶格TE模第45-47页
    3.5 小结第47-48页
第四章 基于光子禁带的反射式啁啾脉冲压缩器研究第48-56页
    4.1 引言第48-49页
    4.2 理论分析第49-50页
    4.3 反射式啁啾脉冲压缩器的设计第50-54页
        4.3.1 二维正方晶格TM模第50-51页
        4.3.2 二维正方晶格TE模第51-52页
        4.3.3 二维三角晶格TM模第52-53页
        4.3.4 二维三角晶格TE模第53-54页
    4.4 小结第54-56页
结论第56-58页
参考文献第58-63页
致谢第63-64页
附录 攻读硕士期间已发表与待发表的学术论文第64页

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