| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-24页 |
| 1.1 霍尔效应 | 第16-20页 |
| 1.1.1 量子霍尔效应 | 第17-18页 |
| 1.1.2 量子反常霍尔效应 | 第18-19页 |
| 1.1.3 量子自旋霍尔效应 | 第19-20页 |
| 1.2 三维拓扑绝缘体 | 第20-21页 |
| 1.3 拓扑绝缘体光电方面的研究进展 | 第21-23页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第23-24页 |
| 第二章 实验设备和原理 | 第24-37页 |
| 2.1 分子束外延的实验原理 | 第24-32页 |
| 2.1.1 真空泵系统 | 第25-26页 |
| 2.1.2 冷却系统 | 第26页 |
| 2.1.3 不间断电源系统 | 第26-27页 |
| 2.1.4 传样系统 | 第27页 |
| 2.1.5 外延生长系统 | 第27-28页 |
| 2.1.6 表征监测系统 | 第28-32页 |
| 2.2 使用分子束外延法制备高质量Bi_2Se_3薄膜 | 第32-34页 |
| 2.2.1 真空样品传输室(Load-Lock)破真空 | 第32页 |
| 2.2.2 衬底选择及清洗 | 第32-33页 |
| 2.2.3 传送样品 | 第33页 |
| 2.2.4 衬底除气 | 第33页 |
| 2.2.5 外延生长 | 第33-34页 |
| 2.2.6 传出样品 | 第34页 |
| 2.3 肖特基结光电探测器基本原理 | 第34-35页 |
| 2.4 测试与辅助设备 | 第35-36页 |
| 2.4.1 电子束蒸镀设备 | 第35-36页 |
| 2.4.2 4200-SCS型半导体特性分析系统 | 第36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 高质量Bi_2Se_3薄膜的参数设计及分析 | 第37-44页 |
| 3.1 实验准备 | 第37-38页 |
| 3.1.1 实验材料及设备 | 第37页 |
| 3.1.2 衬底预处理 | 第37-38页 |
| 3.2 实验方案 | 第38页 |
| 3.3 实验过程 | 第38-39页 |
| 3.4 不同参数结果分析 | 第39-43页 |
| 3.4.1 不同温度下的测试结果分析 | 第39-40页 |
| 3.4.2 不同流量比的测试结果分析 | 第40-42页 |
| 3.4.3 不同衬底的测试结果分析 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小节 | 第43-44页 |
| 第四章 Bi_2Se_3-Ge肖特基结的光电性能的研究 | 第44-56页 |
| 4.1 硒化铋-锗光电探测器的制作 | 第44-45页 |
| 4.2 电输运性质 | 第45-48页 |
| 4.3 肖特基结的光响应 | 第48-52页 |
| 4.3.1 波长对光电性能的影响 | 第48-50页 |
| 4.3.2 温度对光电性能的影响 | 第50-52页 |
| 4.3.3 功率对光电性能的影响 | 第52页 |
| 4.4 肖特基结性能参数分析 | 第52-55页 |
| 4.4.1 响应度 | 第52-53页 |
| 4.4.2 开关比 | 第53页 |
| 4.4.3 探测率 | 第53-54页 |
| 4.4.4 响应时间 | 第54-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 总结 | 第56-57页 |
| 5.2 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第61-62页 |
