| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 主要符号表 | 第17-18页 |
| 1 绪论 | 第18-30页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第18-21页 |
| 1.2 半导体核辐射探测器的工作原理 | 第21页 |
| 1.3 核辐射探测器对半导体材料的要求 | 第21-22页 |
| 1.4 GaN基本性质 | 第22-24页 |
| 1.5 GaN基中子探测器国内外研究进展 | 第24-27页 |
| 1.6 本文主要研究思路及内容 | 第27-30页 |
| 2 半导体中子探测机理及理论仿真 | 第30-42页 |
| 2.1 引言 | 第30-32页 |
| 2.2 中子与GaN的相互作用 | 第32-33页 |
| 2.3 中子仿真模型 | 第33页 |
| 2.4 alpha粒子在转换层和GaN薄膜中的射程 | 第33-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 3 GaN薄膜生长及器件制备 | 第42-74页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 器件结构外延生长 | 第42-44页 |
| 3.3 GaN基pin薄膜的材料表征 | 第44-47页 |
| 3.4 GaN的欧姆接触/肖特基介绍 | 第47-55页 |
| 3.5 器件制备 | 第55-72页 |
| 3.6 本章小结 | 第72-74页 |
| 4 alpha粒子探测器的测试 | 第74-104页 |
| 4.1 引言 | 第74-75页 |
| 4.2 电学特性测试 | 第75-79页 |
| 4.3 alpha粒子能谱测试 | 第79-94页 |
| 4.4 高温特性 | 第94-98页 |
| 4.5 耐辐照特性 | 第98-102页 |
| 4.6 本章小结 | 第102-104页 |
| 5 中子探测器的制备及测试 | 第104-116页 |
| 5.1 引言 | 第104-107页 |
| 5.2 慢化剂 | 第107-108页 |
| 5.3 中子转换层制备 | 第108-111页 |
| 5.4 ~(241)Am-Be快中子测试 | 第111-114页 |
| 5.5 本章小结 | 第114-116页 |
| 6 结论与展望 | 第116-120页 |
| 6.1 结论 | 第116-117页 |
| 6.2 创新点 | 第117页 |
| 6.3 展望 | 第117-120页 |
| 参考文献 | 第120-130页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第130-131页 |
| 致谢 | 第131-132页 |
| 作者简介 | 第132页 |