| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-13页 |
| 1.1.1 低维纳米材料概述 | 第11-12页 |
| 1.1.2 类黑磷材料的发展 | 第12-13页 |
| 1.2 研究意义 | 第13-14页 |
| 1.3 研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 基础理论和计算方法 | 第16-23页 |
| 2.1 多粒子体系的薛定谔方程 | 第16-19页 |
| 2.1.1 非相对论近似 | 第17页 |
| 2.1.2 波恩—奥本海默近似(绝热近似) | 第17页 |
| 2.1.3 单电子近似 | 第17页 |
| 2.1.4 Hartree-Fock近似 | 第17-19页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第19-22页 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi-Dirac理论 | 第19页 |
| 2.2.2 Hohenbeg-Kohn定理 | 第19-20页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第20页 |
| 2.2.4 交换相关泛函的几种近似 | 第20-22页 |
| 2.3 VASP软件包介绍 | 第22-23页 |
| 第三章 SnSe本征掺杂的第一性原理研究 | 第23-33页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 计算方法与模型 | 第23-25页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第25-32页 |
| 3.3.1 原始SnSe的电子性质 | 第25-26页 |
| 3.3.2 化学势的上下限的确定 | 第26-27页 |
| 3.3.3 缺陷形成能 | 第27-30页 |
| 3.3.4 本征缺陷的电子性质 | 第30-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 单层SnSe化学掺杂的第一性原理研究 | 第33-45页 |
| 4.1 引言 | 第33-34页 |
| 4.2 计算方法 | 第34页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第34-44页 |
| 4.3.1 阴离子F、Cl、Br、N、P、As、O、S、Te掺杂 | 第34-40页 |
| 4.3.2 阳离子Li,Mg,Al掺杂 | 第40-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 磷烯/GeS异质结构的第一性原理研究 | 第45-59页 |
| 5.1 引言 | 第45-46页 |
| 5.2 计算方法 | 第46页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第46-57页 |
| 5.3.1 晶格匹配模型的构建 | 第46-48页 |
| 5.3.2 晶格失配旋转Moire超晶胞模型的构建 | 第48-49页 |
| 5.3.3 晶格匹配模型的电子性质 | 第49-53页 |
| 5.3.4 晶格失配模型的电子性质 | 第53-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-60页 |
| 6.1 总结 | 第59页 |
| 6.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 发表的论文及获奖情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
