| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第17-43页 |
| 1.1 引言 | 第17-18页 |
| 1.2 发光二极管发展概述 | 第18-20页 |
| 1.2.1 GaAsPLED | 第18页 |
| 1.2.2 掺杂型GaP及GaAsPLED | 第18-19页 |
| 1.2.3 GaNLED | 第19页 |
| 1.2.4 AlGaInPLED | 第19-20页 |
| 1.3 微型LED阵列器件研究现状 | 第20-41页 |
| 1.3.1 单色微型LED阵列器件研究现状 | 第20-38页 |
| 1.3.2 全色微型LED阵列器件研究现状 | 第38-41页 |
| 1.4 论文主要研究内容和结构安排 | 第41-43页 |
| 第2章 微型LED的工作原理及特性分析 | 第43-69页 |
| 2.1 LED的工作原理及光电性能 | 第43-47页 |
| 2.1.1 LED发光机理 | 第43-45页 |
| 2.1.2 LED的电流-电压特征 | 第45-46页 |
| 2.1.3 LED的等效电路 | 第46-47页 |
| 2.1.4 载流子连续性方程 | 第47页 |
| 2.2 微型LED的光电特性 | 第47-61页 |
| 2.2.1 发光光谱与材料 | 第47-49页 |
| 2.2.2 发光波峰偏移与芯片结温 | 第49-50页 |
| 2.2.3 LED光提取效率 | 第50-53页 |
| 2.2.4 LED器件量子效率 | 第53-55页 |
| 2.2.5 微型器件内部电流扩展 | 第55-61页 |
| 2.3 微型LED的热效应 | 第61-65页 |
| 2.3.1 LED温度效应 | 第61-62页 |
| 2.3.2 LED热传递 | 第62-65页 |
| 2.4 微型LED的调制特性 | 第65-67页 |
| 2.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 第3章 微型AlGaInP-LED电光热学性能研究 | 第69-81页 |
| 3.1 计算工具及理论模型 | 第69-73页 |
| 3.1.1 AlGaInP-LED光功率计算 | 第69-70页 |
| 3.1.2 AlGaInP-LED热学模型 | 第70-71页 |
| 3.1.3 AlGaInP-LED调制带宽 | 第71-72页 |
| 3.1.4 AlGaInP-LED结构参数 | 第72-73页 |
| 3.2 像素分割对LED电流密度影响 | 第73-75页 |
| 3.3 像素分割对LED结温的影响 | 第75-76页 |
| 3.4 像素分割对LED调制带宽影响 | 第76-77页 |
| 3.5 LED阵列器件热学优化 | 第77-79页 |
| 3.5.1 结构参数优化 | 第78页 |
| 3.5.2 测试对比分析 | 第78-79页 |
| 3.6 本章小结 | 第79-81页 |
| 第4章 微型AlGaInP-LED阵列器件制作技术研究 | 第81-97页 |
| 4.1 单元像素阳极的设计 | 第81-83页 |
| 4.2 微阵列工艺流程 | 第83-84页 |
| 4.3 阵列芯片衬底减薄 | 第84-86页 |
| 4.4 隔离沟道制备方法 | 第86-87页 |
| 4.5 隔离沟道填充制备方法 | 第87-89页 |
| 4.5.1 表面覆盖法 | 第87-89页 |
| 4.5.2 真空填充法 | 第89页 |
| 4.6 电极制备 | 第89-91页 |
| 4.6.1 微阵列阴极的制备 | 第89-90页 |
| 4.6.2 微阵列阳极的制备 | 第90-91页 |
| 4.7 微阵列器件光电性能测试 | 第91-95页 |
| 4.7.1 测试系统 | 第92页 |
| 4.7.2 阵列器件温度特性研究 | 第92-93页 |
| 4.7.3 波峰偏移法测结温 | 第93-95页 |
| 4.8 本章小结 | 第95-97页 |
| 第5章 全色微型LED阵列关键技术研究 | 第97-127页 |
| 5.1 全色微型LED阵列 | 第97-100页 |
| 5.2 全色转印工艺流程设计 | 第100-102页 |
| 5.3 转印系统搭建 | 第102-105页 |
| 5.3.1 移动平台 | 第102页 |
| 5.3.2 控温系统 | 第102-104页 |
| 5.3.3 固定平台 | 第104页 |
| 5.3.4 观测系统 | 第104-105页 |
| 5.4 微阵列电极设计及制作 | 第105-111页 |
| 5.4.1 材料选择及制备 | 第105-106页 |
| 5.4.2 电极制作设计 | 第106-108页 |
| 5.4.3 电极制作 | 第108-111页 |
| 5.5 像素单元制作 | 第111-113页 |
| 5.5.1 材料介绍 | 第111-112页 |
| 5.5.2 像素单元制作 | 第112-113页 |
| 5.6 阵列转印 | 第113-118页 |
| 5.6.1 材料介绍 | 第114页 |
| 5.6.2 温控转印法 | 第114-118页 |
| 5.7 器件测试 | 第118-125页 |
| 5.7.1 单芯片转印测试 | 第118-122页 |
| 5.7.2 阵列器件驱动发光 | 第122-124页 |
| 5.7.3 器件优化设计 | 第124-125页 |
| 5.8 本章小结 | 第125-127页 |
| 第6章 总结与展望 | 第127-129页 |
| 6.1 总结 | 第127-128页 |
| 6.2 创新点 | 第128页 |
| 6.3 展望 | 第128-129页 |
| 参考文献 | 第129-139页 |
| 致谢 | 第139-141页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第141页 |