| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 金刚石的结构、性能 | 第11-19页 |
| 1.1.1 金刚石的结构 | 第11-14页 |
| 1.1.2 金刚石的性能与应用 | 第14-19页 |
| 1.2 CVD金刚石的研究进展 | 第19-29页 |
| 1.2.1 CVD金刚石的生长机理 | 第19-21页 |
| 1.2.2 CVD金刚石技术的发展概况 | 第21-24页 |
| 1.2.3 常见的CVD设备 | 第24-29页 |
| 1.3 纳米级CVD金刚石 | 第29-32页 |
| 1.3.1 纳米金刚石膜的沉积原理与应用关键 | 第29-30页 |
| 1.3.2 纳米金刚石的发展趋势及应用前景 | 第30-32页 |
| 1.4 本章小结 | 第32-35页 |
| 第二章 实验装置及表征方法 | 第35-46页 |
| 2.1 10kW改进型圆柱形多模谐振腔式MPCVD装置 | 第35-43页 |
| 2.1.1 微波系统 | 第36-39页 |
| 2.1.2 气路系统 | 第39-40页 |
| 2.1.3 真空及测量系统 | 第40页 |
| 2.1.4 保障系统 | 第40-43页 |
| 2.2 表征方法 | 第43-46页 |
| 2.2.1 金相显微镜 | 第43页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第43-44页 |
| 2.2.3 拉曼光谱 | 第44页 |
| 2.2.4 XRD | 第44-45页 |
| 2.2.5 方阻计 | 第45-46页 |
| 第三章 大面积金刚石膜的均匀沉积 | 第46-58页 |
| 3.1 多模MPCVD中基片的温度分布 | 第47-48页 |
| 3.2 微波功率对等离子体球的影响 | 第48-49页 |
| 3.3 改进型基片台对均匀沉积的影响 | 第49-50页 |
| 3.4 大面积金刚石膜的均匀沉积 | 第50-56页 |
| 3.4.1 形核状态 | 第50-52页 |
| 3.4.2 大面积金刚石膜的均匀性研究 | 第52-55页 |
| 3.4.3 工艺参数对生长速率的影响 | 第55-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 杂质气体辅助下的薄膜沉积 | 第58-69页 |
| 4.1 辅助气体对薄膜沉积的影响 | 第58-61页 |
| 4.2 混合气体对沉积金刚石膜的影响 | 第61-65页 |
| 4.3 大面积纳米级金刚石膜的均匀沉积 | 第65-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 全文总结及展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |