单层二硫化钼的生长及性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-11页 |
| 1.1.1 二维材料 | 第9页 |
| 1.1.2 MoS_2的晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.1.3 MoS_2的拉曼振动模式 | 第10-11页 |
| 1.1.4 MoS_2的荧光性能 | 第11页 |
| 1.2 MoS_2薄膜的制备方法 | 第11-20页 |
| 1.2.1 微机械剥离法 | 第12页 |
| 1.2.2 化学剥离法 | 第12-14页 |
| 1.2.3 硫化MoO3法 | 第14-15页 |
| 1.2.4 硫代钼酸铵热分解法 | 第15-16页 |
| 1.2.5 硫化金属钼法 | 第16-17页 |
| 1.2.6 硫化MoCl5法 | 第17-18页 |
| 1.2.7 蒸发MoS_2粉末法 | 第18-19页 |
| 1.2.8 脉冲激光沉积法 | 第19-20页 |
| 1.3 MoS_2薄膜的应用 | 第20-24页 |
| 1.3.1 场效应晶体管 | 第20-21页 |
| 1.3.2 光电探测器 | 第21-22页 |
| 1.3.3 光电二极管和太阳能电池 | 第22-23页 |
| 1.3.4 电解水制氢催化剂 | 第23页 |
| 1.3.5 异质结方面的应用 | 第23-24页 |
| 1.4 选题依据及研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 单层MoS_2的制备与表征 | 第26-34页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 实验原理 | 第26-27页 |
| 2.3 实验设备 | 第27-28页 |
| 2.4 实验材料 | 第28-29页 |
| 2.5 MoS_2薄膜的制备 | 第29页 |
| 2.6 MoS_2薄膜表征 | 第29-33页 |
| 2.6.1 光学显微镜 | 第30页 |
| 2.6.2 扫描电子显微镜 | 第30-31页 |
| 2.6.3 原子力显微镜 | 第31-32页 |
| 2.6.4 拉曼光谱仪 | 第32-33页 |
| 2.7 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 影响MoS_2生长的因素 | 第34-42页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 不同温区生长分布 | 第34-37页 |
| 3.3 不同时间生长研究 | 第37-40页 |
| 3.4 其他实验条件研究 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 生长基底对MoS_2生长的影响 | 第42-49页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 转移的h-BN薄膜上生长MoS_2 | 第42-43页 |
| 4.2.1 h-BN薄膜的转移 | 第42-43页 |
| 4.2.2氮化硼上生长MoS_2 | 第43页 |
| 4.3 转移的石墨烯薄膜上生长MoS_2 | 第43-44页 |
| 4.3.1 石墨烯薄膜的转移 | 第43页 |
| 4.3.2石墨烯薄膜上生长MoS_2 | 第43-44页 |
| 4.4 有Mn沉积的硅片上生长MoS_2 | 第44-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 MoS_2在电解水催化方面的应用 | 第49-56页 |
| 5.1 引言 | 第49页 |
| 5.2 二硫化钼薄膜制备 | 第49页 |
| 5.3 二硫化钼薄膜表征 | 第49-51页 |
| 5.4 二硫化钼电解水催化测试 | 第51-55页 |
| 5.4.1 线性伏安测试 | 第52-53页 |
| 5.4.2 交流阻抗测试 | 第53页 |
| 5.4.3 Mott-Schottky测试 | 第53-54页 |
| 5.4.4 光照对MoS_2电催化性能的影响 | 第54-55页 |
| 5.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 6.1 研究总结 | 第56页 |
| 6.2 展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-66页 |
| 附录 | 第66页 |
