摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
缩略词 | 第6-9页 |
第一章 绪论 | 第9-17页 |
1.1 课题研究背景及意义 | 第9-11页 |
1.1.1 固体激光器的发展历程 | 第9-10页 |
1.1.2 固体激光器的优点: | 第10-11页 |
1.2 新型二维可饱和吸收材料的特点及研究 | 第11-16页 |
1.2.1 石墨烯 | 第11-13页 |
1.2.2 过渡金属硫化物 | 第13-15页 |
1.2.3 可饱和吸收体的制备的方法 | 第15-16页 |
1.3 本论文的主要工作 | 第16-17页 |
第二章 Nd:YAG激光器的特性与短脉冲生成技术 | 第17-29页 |
2.1 Nd:YAG晶体的简介 | 第17-20页 |
2.2 短脉冲的产生 | 第20-22页 |
2.2.1 调Q技术 | 第20-21页 |
2.2.2 锁模 | 第21-22页 |
2.3 激光谐振腔 | 第22-28页 |
2.3.1 激光谐振腔简介 | 第22-24页 |
2.3.2 激光谐振腔的设计 | 第24-28页 |
2.4 本章小结 | 第28-29页 |
第三章 二硫化钼调Q激光器实验研究 | 第29-41页 |
3.1 二硫化钼可饱和吸收器件的制备 | 第29-33页 |
3.1.1 反射式银镜的制作 | 第29-31页 |
3.1.2 二硫化钼可饱和吸收体的制备 | 第31-33页 |
3.2 反射式二硫化钼可饱和吸收器件的表征 | 第33-35页 |
3.3 基于反射式二硫化钼的Q锁模固体激光器 | 第35-39页 |
3.4 本章小结 | 第39-41页 |
第四章 氧化石墨烯与还原氧化石墨烯调Q激光器实验研究 | 第41-51页 |
4.1 氧化石墨烯及还原氧化石墨烯的材料性质 | 第41-42页 |
4.2 GO与rGO可饱和吸收体材料的制备 | 第42页 |
4.3 GO与rGO可饱和吸收体的表征 | 第42-46页 |
4.4 基于GO与rGO的调Q固体激光器 | 第46-50页 |
4.5 本章小结 | 第50-51页 |
第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
5.1 本论文主要工作 | 第51页 |
5.2 今后工作 | 第51-53页 |
参考文献 | 第53-61页 |
致谢 | 第61-63页 |
攻读学位期间科研成果 | 第63页 |