首页--数理科学和化学论文--物理学论文--半导体物理学论文--半导体理论论文--半导体量子理论论文

纤锌矿结构InGaN/GaN量子阱中的激子态和类氢施主杂质态

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-18页
   ·III-V 族氮化物 GaN 及合金 InGaN 的性质第11-14页
   ·InGaN/GaN 量子阱第14-15页
   ·激子态第15-16页
   ·类氢杂质态第16-18页
第二章 理论计算模型第18-26页
   ·内建电场第18-23页
     ·自发极化和压电极化第18-19页
     ·内建电场第19-20页
     ·纤锌矿结构 InGaN/GaN 量子阱中的内建电场第20-23页
   ·量子阱中的激子态及相关性质第23-24页
   ·量子阱中的类氢杂质态第24-26页
第三章 纤锌矿结构 InGaN/GaN 量子阱中的激子态第26-34页
   ·研究背景及现状第26页
   ·计算结果分析与讨论第26-32页
   ·结论第32-34页
第四章 垒宽对纤锌矿结构 InGaN/GaN 量子阱中的激子态第34-42页
   ·研究背景第34页
   ·计算结果与分析第34-40页
   ·结论第40-42页
第五章 纤锌矿结构 staggered InGaN 量子阱中的类氢施主杂质态第42-48页
   ·研究背景第42页
   ·计算结果与分析第42-47页
   ·结论第47-48页
第六章 总结第48-50页
参考文献第50-56页
致谢第56-58页
攻读学位期间发表的学术论文目录第58-59页

论文共59页,点击 下载论文
上一篇:光与多原子相互作用中的量子特性研究
下一篇:离子液体在微乳液和溶致液晶中的应用研究