| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·III-V 族氮化物 GaN 及合金 InGaN 的性质 | 第11-14页 |
| ·InGaN/GaN 量子阱 | 第14-15页 |
| ·激子态 | 第15-16页 |
| ·类氢杂质态 | 第16-18页 |
| 第二章 理论计算模型 | 第18-26页 |
| ·内建电场 | 第18-23页 |
| ·自发极化和压电极化 | 第18-19页 |
| ·内建电场 | 第19-20页 |
| ·纤锌矿结构 InGaN/GaN 量子阱中的内建电场 | 第20-23页 |
| ·量子阱中的激子态及相关性质 | 第23-24页 |
| ·量子阱中的类氢杂质态 | 第24-26页 |
| 第三章 纤锌矿结构 InGaN/GaN 量子阱中的激子态 | 第26-34页 |
| ·研究背景及现状 | 第26页 |
| ·计算结果分析与讨论 | 第26-32页 |
| ·结论 | 第32-34页 |
| 第四章 垒宽对纤锌矿结构 InGaN/GaN 量子阱中的激子态 | 第34-42页 |
| ·研究背景 | 第34页 |
| ·计算结果与分析 | 第34-40页 |
| ·结论 | 第40-42页 |
| 第五章 纤锌矿结构 staggered InGaN 量子阱中的类氢施主杂质态 | 第42-48页 |
| ·研究背景 | 第42页 |
| ·计算结果与分析 | 第42-47页 |
| ·结论 | 第47-48页 |
| 第六章 总结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第58-59页 |