摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-10页 |
第一章 绪论 | 第10-18页 |
·III-V 族氮化物 GaN 及合金 InGaN 的性质 | 第11-14页 |
·InGaN/GaN 量子阱 | 第14-15页 |
·激子态 | 第15-16页 |
·类氢杂质态 | 第16-18页 |
第二章 理论计算模型 | 第18-26页 |
·内建电场 | 第18-23页 |
·自发极化和压电极化 | 第18-19页 |
·内建电场 | 第19-20页 |
·纤锌矿结构 InGaN/GaN 量子阱中的内建电场 | 第20-23页 |
·量子阱中的激子态及相关性质 | 第23-24页 |
·量子阱中的类氢杂质态 | 第24-26页 |
第三章 纤锌矿结构 InGaN/GaN 量子阱中的激子态 | 第26-34页 |
·研究背景及现状 | 第26页 |
·计算结果分析与讨论 | 第26-32页 |
·结论 | 第32-34页 |
第四章 垒宽对纤锌矿结构 InGaN/GaN 量子阱中的激子态 | 第34-42页 |
·研究背景 | 第34页 |
·计算结果与分析 | 第34-40页 |
·结论 | 第40-42页 |
第五章 纤锌矿结构 staggered InGaN 量子阱中的类氢施主杂质态 | 第42-48页 |
·研究背景 | 第42页 |
·计算结果与分析 | 第42-47页 |
·结论 | 第47-48页 |
第六章 总结 | 第48-50页 |
参考文献 | 第50-56页 |
致谢 | 第56-58页 |
攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第58-59页 |