氧化锌薄膜晶体管的制备及性能的研究
| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·薄膜晶体管的技术特点 | 第7-8页 |
| ·薄膜晶体管发展历史及现状 | 第8-9页 |
| ·薄膜晶体管的工作原理 | 第9-10页 |
| ·薄膜晶体管在液晶显示器中的应用 | 第10-11页 |
| ·薄膜晶体管进展 | 第11-12页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第12-16页 |
| ·ZnO薄膜晶体管研究进展（TFT） | 第13-14页 |
| ·ZnO-TFT存在的科学问题 | 第14-16页 |
| ·本论文工作安排 | 第16-17页 |
| 第二章 样品制备技术和表征方法 | 第17-23页 |
| ·氧化锌薄膜晶体管制备技术 | 第17-20页 |
| ·磁控溅射技术 | 第17-18页 |
| ·分子束外延技术 | 第18-19页 |
| ·高温退火设备 | 第19-20页 |
| ·氧化锌薄膜晶体管的表征手段 | 第20-22页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第20-21页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 硅的热氧化 | 第23-32页 |
| ·二氧化硅的制备 | 第23-27页 |
| ·磁控溅射方法制备二氧化硅 | 第23-24页 |
| ·二氧化硅薄膜的表征 | 第24-25页 |
| ·热氧化法生长二氧化硅 | 第25-27页 |
| ·ZnO薄膜晶体管电极的制备 | 第27-29页 |
| ·ZnO薄膜晶体管电学性质测量系统的搭建 | 第29-31页 |
| ·ZnO薄膜晶体管的电学测量 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 氧化锌薄膜晶体管的制备与表征 | 第32-40页 |
| ·磁控溅射方法制备氧化锌 | 第32-33页 |
| ·ZnO靶材的制备 | 第32页 |
| ·氧化锌薄膜的制备 | 第32-33页 |
| ·氧化锌薄膜的表征 | 第33-35页 |
| ·氧化锌薄膜的结构表征 | 第33-35页 |
| ·氧化锌薄膜表面形貌的表征 | 第35页 |
| ·氧化锌薄膜晶体管的电学特性 | 第35-36页 |
| ·分子束外延（MBE）方法制备氧化锌 | 第36-39页 |
| ·MBE制备氧化锌薄膜的结构表征 | 第36-37页 |
| ·MBE方法生长氧化锌薄膜表面形貌的表征 | 第37页 |
| ·MBE方法生长氧化锌薄膜晶体管的电学特性 | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第五章 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 摘要 | 第46-48页 |
| Abstract | 第48-49页 |
