| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 选题背景 | 第10-17页 |
| 1.1.1 自旋电子学 | 第10-11页 |
| 1.1.2 反铁磁材料 | 第11-13页 |
| 1.1.3 Heusler合金 | 第13-15页 |
| 1.1.4 半金属材料 | 第15-16页 |
| 1.1.5 半导体材料 | 第16-17页 |
| 1.2 V_3Ga合金的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3 Cr-Fe-Si与Cr-Mn-Si合金的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.4 Mn-Ni-Ga合金的研究现状 | 第20-22页 |
| 1.5 主要研究内容及创新点 | 第22-24页 |
| 第二章 制备及测试方法 | 第24-39页 |
| 2.1 薄膜工艺概况 | 第24-26页 |
| 2.2 薄膜制备 | 第26-31页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第26页 |
| 2.2.2 清洗 | 第26-27页 |
| 2.2.3 安装坩埚,蒸发舟与装卡盘 | 第27页 |
| 2.2.4 实验前基片预处理 | 第27页 |
| 2.2.5 薄膜制备工艺 | 第27-28页 |
| 2.2.6 薄膜制备成果 | 第28-31页 |
| 2.3 薄膜测试手段 | 第31-39页 |
| 2.3.1 X射线衍射测试(XRD) | 第31-32页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪测试(EDS) | 第32-33页 |
| 2.3.3 振动样品磁强计测试(VSM) | 第33-35页 |
| 2.3.4 热电阻测试(RT)和磁电阻测试(MR) | 第35-36页 |
| 2.3.5 场冷零场冷测试(FCZFC) | 第36页 |
| 2.3.6 紫外可见吸收光谱法(UV-VIS) | 第36-37页 |
| 2.3.7 密度泛函理论(DFT+U) | 第37页 |
| 2.3.8 原子力显微镜(AFM) | 第37-39页 |
| 第三章 V_3Ga反铁磁薄膜 | 第39-47页 |
| 3.1 V_3Ga密度泛函理论计算 | 第39-40页 |
| 3.2 V_3Ga测试结果及分析 | 第40-46页 |
| 3.2.1 V_3Ga结晶度与平整性分析 | 第40-42页 |
| 3.2.2 V_3Ga磁性分析 | 第42-43页 |
| 3.2.3 V_3Ga电学分析 | 第43-44页 |
| 3.2.4 V_3Ga/Fe垂直磁各向异性分析 | 第44-46页 |
| 3.3 本章总结 | 第46-47页 |
| 第四章 Cr_(3-x)Fe_x(Mn_x)Si系列反铁磁性薄膜 | 第47-57页 |
| 4.1 Cr_(3-x)Fe_xSi系列合金薄膜的结果与讨论 | 第47-51页 |
| 4.1.1 Cr_(3-x)Fe_xSi结晶度与平整性分析 | 第47-49页 |
| 4.1.2 Cr_(3-x)Fe_xSi磁性及Cr_2FeSi/Fe垂直磁各向异性分析 | 第49-50页 |
| 4.1.3 Cr_2FeSi电学分析 | 第50-51页 |
| 4.2 Cr_(3-x)Mn_xSi系列合金薄膜的分析结果与讨论 | 第51-55页 |
| 4.2.1 Cr_(3-x)Mn_xSi结晶度与平整性分析 | 第51-53页 |
| 4.2.2 Cr_(3-x)Mn_xSi磁性及CrMn_2Si/Fe垂直磁各向异性分析 | 第53-55页 |
| 4.2.3 CrMn_2Si电学分析 | 第55页 |
| 4.3 本章总结 | 第55-57页 |
第五章 Mn_(3-x)Ni_xGa(0| 第57-60页 | |
| 5.1 Mn-Ni-Ga铁磁性样品分析 | 第57-58页 |
| 5.2 Mn-Ni-Ga无磁性样品分析 | 第58页 |
| 5.3 本章总结 | 第58-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 个人简历 | 第69页 |
