| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外发展的状况 | 第11-15页 |
| 1.3 论文的主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 CMOS低噪声放大器仿真设计的需求分析 | 第16-26页 |
| 2.1 需求分析 | 第16-17页 |
| 2.2 CMOS低噪声放大器仿真设计使用的软件 | 第17-26页 |
| 2.2.1 软件介绍 | 第17-21页 |
| 2.2.2 启动CADCENCE系统 | 第21-22页 |
| 2.2.3 运行CADENCE系统 | 第22-24页 |
| 2.2.4 HFSS软件的介绍 | 第24-25页 |
| 2.2.5 ADS软件的介绍 | 第25-26页 |
| 第三章 硅衬底电感仿真参数设置 | 第26-55页 |
| 3.1 电感的基本概念 | 第26-28页 |
| 3.1.1 电感的自感与互感参数 | 第26-27页 |
| 3.1.2 电感的自谐振品质因数仿真设置 | 第27-28页 |
| 3.2 CMOS工艺电感的高频特性仿真设置 | 第28-34页 |
| 3.2.1 寄生与损耗的仿真设置 | 第28-30页 |
| 3.2.2 趋肤效应和邻近效应分析 | 第30-32页 |
| 3.2.3 金属导体之间的寄生电容分析 | 第32页 |
| 3.2.4 衬底的容性耦合损耗分析 | 第32-33页 |
| 3.2.5 涡流效应分析 | 第33-34页 |
| 3.3 片上螺旋电感的结构及主要参数仿真设置 | 第34-44页 |
| 3.3.1 片上螺旋电感的结构仿真设置 | 第34-35页 |
| 3.3.2 片上螺旋电感的主要参数仿真设置 | 第35-44页 |
| 3.4 HFSS仿真的三种不同电感结构的对比与分析 | 第44-55页 |
| 第四章 低噪声放大器及电感结构的仿真研究 | 第55-73页 |
| 4.1 窄带LNA的仿真设计 | 第55-61页 |
| 4.1.1 阻抗匹配 | 第55-57页 |
| 4.1.2 增益分析 | 第57-58页 |
| 4.1.3 噪声分析 | 第58-61页 |
| 4.2 共源共栅单端低噪声放大器仿真设计 | 第61-64页 |
| 4.2.1 基本电路结构设计 | 第61-62页 |
| 4.2.2 电路优化设计 | 第62-64页 |
| 4.3 差分输入差分输出低噪声放大器仿真设计 | 第64页 |
| 4.4 采用巴伦结构的差分低噪声放大器设计 | 第64-65页 |
| 4.5 提高线性度的差分低噪声放大器仿真设计 | 第65-66页 |
| 4.6 电感结构设计 | 第66-73页 |
| 4.6.1 不带抽头的差分电感仿真设计 | 第67-69页 |
| 4.6.2 带抽头的差分电感仿真设计 | 第69-71页 |
| 4.6.3 巴伦仿真设计 | 第71-73页 |
| 第五章 1.2G HZ低噪声放大器仿真结果测试 | 第73-84页 |
| 5.1 共源共栅结构低噪声放大器仿真结果测试 | 第73-74页 |
| 5.2 差分输入差分输出低噪声放大器仿真结果测试 | 第74-77页 |
| 5.3 采用巴伦的差分低噪声放大器仿真结果测试 | 第77-81页 |
| 5.4 提高线性度的低噪声放大器仿真结果测试 | 第81-84页 |
| 5.4.1 项目性能指标 | 第81页 |
| 5.4.2 顶层测试电路 | 第81-82页 |
| 5.4.3 带电感级的测试电路 | 第82页 |
| 5.4.4 整体版图与后仿结果 | 第82-84页 |
| 第六章 总结 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-91页 |