| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-44页 |
| 第一节 新型硅,碳及其低维材料的概况 | 第12-21页 |
| 1.1 纯碳材料及其低维结构 | 第12-19页 |
| 1.2 纯硅材料及其低维结构 | 第19-21页 |
| 第二节 理论基础 | 第21-44页 |
| 2.1 薛定谔方程 | 第21-24页 |
| 2.2 绝热近似 | 第24-25页 |
| 2.3 Hartree-Fock 近似 | 第25-27页 |
| 2.4 密度泛函理论与Hohenberg-Kohn定理 | 第27-29页 |
| 2.5 Kohn-Sham 方程 | 第29-31页 |
| 2.6 交换关联能量泛函 | 第31-34页 |
| 2.7 能带理论 | 第34-37页 |
| 2.8 声子谱计算 | 第37-38页 |
| 2.9 计算所用的程序包 | 第38页 |
| 参考文献 | 第38-44页 |
| 第二章 NTC-硅：一种带有直接带隙的硅的同素异构体 | 第44-55页 |
| 第一节 背景介绍 | 第44页 |
| 第二节 计算方法 | 第44-46页 |
| 第三节 结果和讨论 | 第46-52页 |
| 3.1 晶体结构与稳定性 | 第46-50页 |
| 3.2 电子与光学特性 | 第50-51页 |
| 3.3 对ntc-硅合成有利的条件 | 第51-52页 |
| 第四节 小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第三章 PO型单层石墨：一种由五、八边形组成的可能存在的石墨烯结构 | 第55-65页 |
| 第一节 背景介绍 | 第55-57页 |
| 第二节 计算方法 | 第57页 |
| 第三节 结果和讨论 | 第57-61页 |
| 第四节 合成 | 第61-62页 |
| 第五节 小结 | 第62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 第四章 稳定的五边形材料和可能存在自旋极化狄拉克锥的二维Fe_2S化合物 | 第65-83页 |
| 第一节 背景介绍 | 第65-66页 |
| 第二节 计算方法 | 第66-70页 |
| 第三节 pt-C和pt-BN_2的能带结构 | 第70-73页 |
| 第四节 在pt-Fe_2S中的能带结构和电子-电子相互作用 | 第73-77页 |
| 第五节 合成 | 第77-78页 |
| 第六节 小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 第五章 总结和展望 | 第83-85页 |
| 论文发表情况 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
