| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 ZnO的基本性质 | 第10-13页 |
| 1.2.1 ZnO的晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 ZnO的缺陷及掺杂 | 第11-12页 |
| 1.2.3 ZnO的阻变特性 | 第12-13页 |
| 1.3 铜掺杂氧化锌薄膜的研究进展 | 第13-14页 |
| 1.4 非易失性阻变存储器研究现状 | 第14-15页 |
| 1.5 RS器件阻变行为的分类和机理 | 第15-18页 |
| 1.5.1 RS器件阻变行为的分类 | 第15-16页 |
| 1.5.2 RS器件阻变机制 | 第16-18页 |
| 1.6 本文研究的意义、目的和主要内容 | 第18-20页 |
| 第二章 Cu:ZnO薄膜的制备与表征 | 第20-31页 |
| 2.1 薄膜沉积原理 | 第20-21页 |
| 2.2 Cu:ZnO薄膜的制备 | 第21-25页 |
| 2.2.1 实验设备和材料 | 第21-22页 |
| 2.2.2 靶材的制备 | 第22-24页 |
| 2.2.3 衬底的处理 | 第24页 |
| 2.2.4 薄膜样品的制备 | 第24-25页 |
| 2.3 电极的制备 | 第25-26页 |
| 2.4 Cu:ZnO薄膜和器件的表征与测试 | 第26-30页 |
| 2.4.1 X射线衍射 | 第26-27页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
| 2.4.3 X射线光电子能谱 | 第28-29页 |
| 2.4.4 RS器件电学性能参数 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 掺杂浓度与工艺参数对Cu:ZnO薄膜阻变现象的影响 | 第31-45页 |
| 3.1 Cu:ZnO薄膜的结构分析 | 第31-34页 |
| 3.2 Cu:ZnO薄膜的形貌分析 | 第34页 |
| 3.3 Cu:ZnO器件阻变过程的研究 | 第34-38页 |
| 3.4 掺杂浓度对Cu:Zn O阻变器件的影响 | 第38-40页 |
| 3.5 关键工艺参数对Cu:ZnO器件阻变性能的影响 | 第40-43页 |
| 3.5.1 衬底温度对Cu:ZnO阻变器件的影响 | 第40-41页 |
| 3.5.2 溅射气氛对器件性能的影响 | 第41-42页 |
| 3.5.3 电极尺寸对器件性能的影响 | 第42-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 电极对Cu:ZnO阻变现象的影响 | 第45-58页 |
| 4.1 金半接触和功函数 | 第45-46页 |
| 4.2 AZO底电极和Cu:ZnO薄膜的接触 | 第46-47页 |
| 4.3 顶电极和Cu:Zn O薄膜的接触 | 第47-50页 |
| 4.4 退火对Cu:ZnO阻变器件的影响 | 第50-51页 |
| 4.5 Cu/CuOX/ZnO/AZO双介质层RS器件 | 第51-56页 |
| 4.5.1 器件结构和CuOX薄膜的表征 | 第52-53页 |
| 4.5.2 BL和SL结构器件I-V曲线的测量 | 第53-54页 |
| 4.5.3 BL和SL结构器件的耐久和保持特性 | 第54-56页 |
| 4.6 Cu/CuO/ZnO/AZO结构RS器件的阻变物理模型 | 第56-57页 |
| 4.7 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻硕期间取得的成果 | 第65-66页 |
