摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
1 绪论 | 第13-29页 |
1.1 引言 | 第13页 |
1.2 SnO_2的性质 | 第13-16页 |
1.2.1 SnO_2的结构性质 | 第13-14页 |
1.2.2 SnO_2的光学性质 | 第14-15页 |
1.2.3 SnO_2的电学性质 | 第15-16页 |
1.3 透明导电薄膜的分类 | 第16-21页 |
1.3.1 透明导电金属薄膜 | 第16页 |
1.3.2 透明导电氧化物薄膜 | 第16-19页 |
1.3.3 纳米线透明导电薄膜 | 第19-20页 |
1.3.4 石墨烯透明导电薄膜 | 第20-21页 |
1.3.5 多层透明导电薄膜 | 第21页 |
1.4 薄膜的制备方法 | 第21-26页 |
1.4.1 磁控溅射法 | 第21-22页 |
1.4.2 真空蒸发法 | 第22-23页 |
1.4.3 脉冲激光沉积法 | 第23-24页 |
1.4.4 喷雾热分解法 | 第24-25页 |
1.4.5 溶胶-凝胶法 | 第25页 |
1.4.6 化学气相沉积法 | 第25-26页 |
1.5 透明导电薄膜的应用 | 第26-28页 |
1.5.1 在平板显示上的应用 | 第26页 |
1.5.2 在气体传感器上的应用 | 第26-27页 |
1.5.3 在太阳能电池上的应用 | 第27页 |
1.5.4 在纳米摩擦发电机上的应用 | 第27-28页 |
1.5.5 在建筑行业玻璃上的应用 | 第28页 |
1.6 研究的目的和意义 | 第28-29页 |
2 研究内容及表征方法 | 第29-38页 |
2.1 薄膜的沉积工艺 | 第29-32页 |
2.1.1 远源等离子体溅射镀膜系统(HiTUS) | 第29-30页 |
2.1.2 远源等离子体溅射镀膜系统(HiTUS)的优点 | 第30-32页 |
2.2 薄膜的沉积工艺 | 第32-35页 |
2.2.1 薄膜沉积前的准备工作 | 第32页 |
2.2.2 薄膜沉积的操作过程 | 第32-35页 |
2.3 薄膜的表征方法 | 第35-38页 |
2.3.1 薄膜的厚度测量 | 第35页 |
2.3.2 薄膜的X-射线衍射(XRD)表征 | 第35页 |
2.3.3 薄膜电子扫描显微镜(SEM)表征 | 第35-36页 |
2.3.4 薄膜透射电子显微镜(TEM)表征 | 第36页 |
2.3.5 薄膜的X-射线光电子能谱(XPS)表征 | 第36页 |
2.3.6 薄膜的拉曼(RAMAN)表征 | 第36页 |
2.3.7 薄膜的透光性能(UV)表征 | 第36页 |
2.3.8 薄膜的电流-电压(I-V)表征 | 第36-37页 |
2.3.9 薄膜的电学性能(Hall)表征 | 第37-38页 |
3 氧气流量对于钽掺杂二氧化锡(TTO)薄膜的影响 | 第38-56页 |
3.1 试验参数 | 第38-39页 |
3.2 薄膜沉积速率 | 第39-40页 |
3.3 薄膜的结构分析 | 第40-46页 |
3.3.1 薄膜XRD分析 | 第40-41页 |
3.3.2 薄膜拉曼分析 | 第41-42页 |
3.3.3 薄膜SEM和EDS分析 | 第42-43页 |
3.3.4 薄膜TEM分析 | 第43-46页 |
3.4 薄膜的化学态分析 | 第46-50页 |
3.5 薄膜的透光性分析 | 第50-52页 |
3.6 薄膜的电学性能分析 | 第52-54页 |
3.6.1 薄膜的电流-电压测试 | 第52-53页 |
3.6.2 薄膜的霍尔测试 | 第53-54页 |
3.7 本章结论 | 第54-56页 |
4 退火温度对于钽掺杂二氧化锡(TTO)薄膜的影响 | 第56-63页 |
4.1 试验参数 | 第56页 |
4.2 薄膜退火前后的XRD分析 | 第56-57页 |
4.3 薄膜退火前后的XPS分析 | 第57-59页 |
4.4 薄膜退火前后的光学性能分析 | 第59-60页 |
4.5 薄膜的常温霍尔测试 | 第60页 |
4.6 薄膜的变温霍尔测试 | 第60-61页 |
4.7 本章结论 | 第61-63页 |
5 SnO_2/Ag/SnO_2多层膜的光电特性研究 | 第63-73页 |
5.1 引言 | 第63-64页 |
5.2 实验过程 | 第64页 |
5.3 结果和讨论 | 第64-71页 |
5.3.1 薄膜的XRD分析 | 第64-65页 |
5.3.2 薄膜的SEM分析 | 第65-66页 |
5.3.3 薄膜的光学性能分析 | 第66-67页 |
5.3.4 薄膜的电学性能分析 | 第67-70页 |
5.3.5 薄膜的品质因数计算 | 第70-71页 |
5.4 本章小结 | 第71-73页 |
6 结论与展望 | 第73-75页 |
6.1 结论 | 第73-74页 |
6.2 展望 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-84页 |
个人简历 | 第84-85页 |
致谢 | 第85页 |