| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 Ge/Si量子点生长研究 | 第9-11页 |
| 1.3 Ge/Si量子点的电学性能研究 | 第11-12页 |
| 1.4 研究耦合Ge/Si量子点空穴态的意义 | 第12-13页 |
| 1.5 计算材料学常用的几种建模方法 | 第13-17页 |
| 1.5.1 第一性原理法(FP法) | 第13-14页 |
| 1.5.2 蒙特—卡罗法(MC法) | 第14-15页 |
| 1.5.3 有限元法(FEM法) | 第15-16页 |
| 1.5.4 分子动力学法(MD法) | 第16-17页 |
| 1.6 本论文的研究意义及主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 计算模型和方法 | 第19-28页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 模型所参照的耦合体系 | 第19-20页 |
| 2.3 计算条件和方法 | 第20-21页 |
| 2.4 计算模型和原理 | 第21-25页 |
| 2.4.1 单带模型原理 | 第21-23页 |
| 2.4.2 边界条件 | 第23页 |
| 2.4.3 网格 | 第23-24页 |
| 2.4.4 六带模型原理和网格 | 第24-25页 |
| 2.5 六带模型的网格和边界条件 | 第25-27页 |
| 2.6 计算模型的可靠性 | 第27-28页 |
| 第三章 耦合Ge/Si量子点中空穴态对称性研究 | 第28-37页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 Ge/Si量子点空穴态对称特性研究 | 第28-29页 |
| 3.3 实验设计 | 第29-30页 |
| 3.4 实验结果与讨论 | 第30-35页 |
| 3.5 结论 | 第35-37页 |
| 第四章 耦合Ge/Si量子点空穴态从弱局域态到强局域态的转变 | 第37-45页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 Ge/Si量子点结构的空穴局域态研究 | 第37-38页 |
| 4.3 实验设计和内容 | 第38-39页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第39-44页 |
| 4.5 结论 | 第44-45页 |
| 第五章 耦合Ge/Si量子点中间带太阳电池 | 第45-61页 |
| 5.1 引言 | 第45页 |
| 5.2 量子点中间带太阳电池概念 | 第45-47页 |
| 5.3 计算的实验依据和设计 | 第47-49页 |
| 5.4 实验结果分析与讨论 | 第49-59页 |
| 5.4.1 单层量子点 | 第49-53页 |
| 5.4.2 双层量子点 | 第53-58页 |
| 5.4.3 多层量子点 | 第58-59页 |
| 5.5 结论 | 第59-61页 |
| 第六章 总结和展望 | 第61-63页 |
| 6.1 工作总结 | 第61-62页 |
| 6.2 本论文工作的特色 | 第62页 |
| 6.3 未来展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-74页 |
| 附录一 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |