新型离子源的电源研制
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
1 绪论 | 第7-13页 |
·研究背景 | 第7-9页 |
·国内外的研究现状 | 第9-10页 |
·课题研究的任务 | 第10-12页 |
·主要研究内容 | 第10页 |
·技术路线及措施 | 第10-11页 |
·理论依据 | 第11-12页 |
·研究预期结果 | 第12页 |
·小结 | 第12-13页 |
2 电力变换技术分析 | 第13-27页 |
·概述 | 第13-18页 |
·电力电子技术的发展历史 | 第13-15页 |
·现代电力电子技术的主要特点 | 第15-16页 |
·电力电子器件 | 第16-18页 |
·可控硅电源 | 第18-24页 |
·可控硅调压原理 | 第19页 |
·可控硅工作原理 | 第19-20页 |
·变压器 | 第20-21页 |
·整流电路 | 第21-22页 |
·电容滤波电路 | 第22-24页 |
·逆变电源 | 第24-26页 |
·电压型逆变电路 | 第25页 |
·电压型逆变电路结构 | 第25-26页 |
·小结 | 第26-27页 |
3 系统主电路的设计 | 第27-43页 |
·主电路的结构 | 第27-28页 |
·可控硅调压电路 | 第28-31页 |
·可控硅驱动 | 第28-30页 |
·可控硅选择 | 第30-31页 |
·整流滤波电路 | 第31-34页 |
·整流桥的设计 | 第31-32页 |
·平波滤波器的设计 | 第32-34页 |
·IGBT驱动电路设计 | 第34-40页 |
·IGBT的基本结构 | 第34-35页 |
·IGBT的工作原理和工作特性 | 第35-36页 |
·IGBT的驱动与保护 | 第36-37页 |
·IGBT模块的选择 | 第37页 |
·EXB841驱动芯片 | 第37-39页 |
·EXB841驱动芯片外围电路设计与调试 | 第39-40页 |
·逆变电路设计 | 第40-42页 |
·逆变电流分析 | 第41页 |
·逆变电压分析 | 第41-42页 |
·小结 | 第42-43页 |
4 系统控制电路的设计 | 第43-59页 |
·控制器功能设计 | 第43-44页 |
·电压占空比控制 | 第44-49页 |
·占空比调整 | 第44-45页 |
·算法分析 | 第45-46页 |
·单片机控制器 | 第46-49页 |
·检测电路设计 | 第49页 |
·保护回路的设计 | 第49-51页 |
·过流保护回路的设计 | 第49-50页 |
·过压保护回路的设计 | 第50-51页 |
·辅助电源 | 第51-52页 |
·系统驱动电路 | 第52-53页 |
·控制器程序 | 第53-58页 |
·小结 | 第58-59页 |
5 实验结果 | 第59-63页 |
·实验波形 | 第59-61页 |
·实验结果分析 | 第61-62页 |
·小结 | 第62-63页 |
6 结论 | 第63-65页 |
·冷阴极离子源配套电源各项参数 | 第63页 |
·展望 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65-67页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第67-68页 |
致谢 | 第68-71页 |