| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 非挥发存储器的发展历程 | 第8-18页 |
| 1.2.1 浮栅型非挥发存储器的崛起与改良 | 第9-14页 |
| 1.2.2 新型非挥发存储器的涌现 | 第14-18页 |
| 1.3 阻变存储器的出现和发展 | 第18-21页 |
| 1.3.1 阻变存储器的基本特性 | 第18-19页 |
| 1.3.2 阻变存储器的现状 | 第19-20页 |
| 1.3.2.1 阻变存储器研究现状 | 第19-20页 |
| 1.3.2.2 阻变存储器芯片研究报道结果 | 第20页 |
| 1.3.3 阻变存储器遇到的问题 | 第20-21页 |
| 1.4. 本论文的研究动机和创新点 | 第21-22页 |
| 1.4.1 本论文的研究动机 | 第21-22页 |
| 1.4.2 本论文的创新点 | 第22页 |
| 1.5 本论文的结构安排 | 第22-24页 |
| 第二章 TiOx阻变材料特性及其器件性能研究 | 第24-33页 |
| 2.1 引言 | 第24-26页 |
| 2.2 样品制备方法、测试系统及薄膜表征 | 第26-28页 |
| 2.2.1 样品制备方法及测试系统 | 第26-27页 |
| 2.2.2 TiOx薄膜的表征 | 第27-28页 |
| 2.3 不同电极对器件性能的影响 | 第28-31页 |
| 2.4 氧化时间对器件性能的影响 | 第31-32页 |
| 2.5 小结 | 第32-33页 |
| 第三章 AION阻变材料特性及器件性能研究 | 第33-53页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 样品制备方法,测试系统及样品表征 | 第34-35页 |
| 3.2.1 样品制备方法 | 第34页 |
| 3.2.2 测试系统 | 第34页 |
| 3.2.3 样品表征 | 第34-35页 |
| 3.3 AION较AIN以及AIOx的优势 | 第35-36页 |
| 3.4 W/AION/AI器件的阻变性能及其物理机制的分析 | 第36-44页 |
| 3.4.1 极性 | 第36页 |
| 3.4.2 阻变特性 | 第36-38页 |
| 3.4.3 读干扰及数据保持能力 | 第38-39页 |
| 3.4.4 AION导电性分析及电阻转换机理分析 | 第39-44页 |
| 3.4.4.1 导电性分析 | 第39-42页 |
| 3.4.4.2 阻变机理分析 | 第42-44页 |
| 3.5 N掺杂对器件性能的影响 | 第44-46页 |
| 3.6 操作算法对器件性能的影响 | 第46-52页 |
| 3.7 小结 | 第52-53页 |
| 第四章 WOx/AION双层结构的研究和分析 | 第53-69页 |
| 4.1 引言 | 第53-54页 |
| 4.2 样品制备方法、测试系统及样品表征 | 第54-56页 |
| 4.2.1 样品制备方法、测试系统 | 第54-55页 |
| 4.2.2 WOx/AION薄膜的表征 | 第55-56页 |
| 4.3 WOx/AION与AION性能对比 | 第56-58页 |
| 4.4 WOx/AION阻变特性、导电性及阻变机理分析 | 第58-62页 |
| 4.4.1 WOx/AION阻变特性 | 第58-59页 |
| 4.4.2 WOx/AION导电特性分析 | 第59-61页 |
| 4.4.3 WOx/AION阻变机理分析 | 第61-62页 |
| 4.5 多值存储性能及噪声特性 | 第62-67页 |
| 4.5.1 多值存储的潜力 | 第62-64页 |
| 4.5.2 随机电报噪声特性 | 第64-67页 |
| 4.6 小结 | 第67-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 硕士期间发表论文情况 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |