| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 忆阻器 | 第11-12页 |
| 1.2 非易失性存储器简介 | 第12-17页 |
| 1.3 阻变式存储器研究进展 | 第17-23页 |
| 1.4 神经突触仿生器件研究进展 | 第23-28页 |
| 1.5 整流忆阻器件的研究进展 | 第28-30页 |
| 1.6 本文的研究意义和内容 | 第30-31页 |
| 第二章 实验方法 | 第31-36页 |
| 2.1 薄膜与器件制备 | 第31-33页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第31-32页 |
| 2.1.2 电子束蒸发 | 第32页 |
| 2.1.3 快速退火 | 第32-33页 |
| 2.2 物理性能表征 | 第33-35页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第33-34页 |
| 2.2.2 半导体参数仪 | 第34页 |
| 2.2.3 光谱型椭偏仪 | 第34-35页 |
| 2.2.4 霍尔效应测试仪 | 第35页 |
| 2.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 ZnO基 1D1R结构的制备及性能研究 | 第36-44页 |
| 3.1 薄膜和器件的制备 | 第36-38页 |
| 3.2 忆阻器(Pt/ZnO/Pt)的制备及性能优化 | 第38-40页 |
| 3.3 二极管(Pt/AZO/ZnO/Pt)的制备及性能优化 | 第40-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 ZnO基自整流忆阻器的制备及性能研究 | 第44-51页 |
| 4.1 Ti/ZnO/Pt器件的制备与性能研究 | 第44-46页 |
| 4.2 Ti/ZnO/AZO/Pt自整流忆阻器制备与性能研究 | 第46-47页 |
| 4.3 自整流忆阻器件的神经突触行为研究 | 第47-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 ZnO基自整流忆阻器机理研究 | 第51-58页 |
| 5.1 ZnO基自整流忆阻器阻变机理研究 | 第51-55页 |
| 5.2 ZnO基自整流忆阻器整流机制研究 | 第55-57页 |
| 5.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读硕士学位期间主要研究成果 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间参与项目 | 第72页 |
