| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第11页 |
| 1.2 Si_3N_4基陶瓷透波材料 | 第11-15页 |
| 1.2.1 Si_3N_4的晶体结构特征 | 第11-13页 |
| 1.2.2 Si_3N_4多孔陶瓷 | 第13-14页 |
| 1.2.3 Si_3N_4基陶瓷透波材料的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.3 具有孔隙梯度结构的陶瓷基复合材料的提出及制备方法 | 第15-16页 |
| 1.4 冷喷涂技术 | 第16-21页 |
| 1.4.1 冷喷涂技术的概念与特点 | 第16-17页 |
| 1.4.2 临界速度及影响涂层质量的因素 | 第17-19页 |
| 1.4.3 冷喷涂设备 | 第19-20页 |
| 1.4.4 冷喷涂陶瓷涂层的性能 | 第20页 |
| 1.4.5 冷喷涂技术的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.5 本论文的提出和主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 氮化硅纳米线增强的氮化硅多孔陶瓷的制备及其力学和介电性能 | 第23-33页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 实验与测试 | 第23-26页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第23-24页 |
| 2.2.2 原料配比与工艺流程 | 第24-25页 |
| 2.2.3 分析测试 | 第25-26页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第26-32页 |
| 2.3.1 SNNWs增强的Si_3N_4多孔陶瓷的物相组成和微观结构 | 第26-28页 |
| 2.3.2 SNNWs增强的Si_3N_4多孔陶瓷的孔隙结构形成过程和孔隙率 | 第28-29页 |
| 2.3.3 SNNWs增强的Si_3N_4多孔陶瓷的力学性能 | 第29-31页 |
| 2.3.4 SNNWs增强的Si_3N_4多孔陶瓷的介电性能 | 第31-32页 |
| 2.3.5 SNNWs增强的Si_3N_4多孔陶瓷的增强机制 | 第32页 |
| 2.4 小结 | 第32-33页 |
| 第3章 氮化硅陶瓷涂层的冷喷涂成型和无压烧结制备及其力学和介电性能 | 第33-53页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 实验与测试 | 第33-35页 |
| 3.2.1 实验原料 | 第33页 |
| 3.2.2 原料配比与工艺流程 | 第33-34页 |
| 3.2.3 冷喷涂设备 | 第34-35页 |
| 3.3 Si_3N_4浆料的制备与分析 | 第35-40页 |
| 3.3.1 Si_3N_4浆料性能分析 | 第35-38页 |
| 3.3.2 pH值对Si_3N_4浆料粘度的影响 | 第38页 |
| 3.3.3 分散剂含量对Si_3N_4浆料粘度的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.4 固相量对Si_3N_4浆料粘度的影响 | 第39-40页 |
| 3.4 Si_3N_4陶瓷涂层的物相组成、表面形貌及微观结构 | 第40-42页 |
| 3.4.1 Si_3N_4陶瓷涂层的物相组成 | 第40-41页 |
| 3.4.2 Si_3N_4陶瓷涂层的表面形貌 | 第41页 |
| 3.4.3 Si_3N_4陶瓷涂层的微观结构 | 第41-42页 |
| 3.5 厚度可控的Si_3N_4陶瓷涂层的制备工艺研究 | 第42-46页 |
| 3.5.1 涂层厚度的测试方法 | 第42-43页 |
| 3.5.2 烧结助剂含量对涂层厚度的影响 | 第43页 |
| 3.5.3 喷涂压力对涂层厚度的影响 | 第43-44页 |
| 3.5.4 喷涂距离对涂层厚度的影响 | 第44-45页 |
| 3.5.5 喷涂时间对涂层厚度的影响 | 第45-46页 |
| 3.6 孔隙率可控的Si_3N_4陶瓷涂层的制备工艺研究 | 第46-49页 |
| 3.6.1 涂层孔隙率的测试方法 | 第47页 |
| 3.6.2 烧结助剂含量对涂层孔隙率的影响 | 第47-48页 |
| 3.6.3 喷涂压力对涂层孔隙率的影响 | 第48页 |
| 3.6.4 喷涂距离对涂层孔隙率的影响 | 第48-49页 |
| 3.7 Si_3N_4多孔陶瓷涂层的力学和介电性能研究 | 第49-50页 |
| 3.7.1 涂层性能测试方法 | 第49页 |
| 3.7.2 Si_3N_4陶瓷的力学性能和介电性能 | 第49-50页 |
| 3.8 Si_3N_4多孔陶瓷涂层的结合机制 | 第50-51页 |
| 3.9 小结 | 第51-53页 |
| 第4章 具有孔隙梯度结构的氮化硅陶瓷透波材料的超宽频带透波性能设计与制备 | 第53-64页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 超宽频带透波材料的透波率计算与结构优化 | 第53-60页 |
| 4.2.1 假设条件和微波传输线理论 | 第53-54页 |
| 4.2.2 多层介质平板透波率的计算 | 第54-56页 |
| 4.2.3 具有孔隙梯度结构的透波材料模型的建立 | 第56-57页 |
| 4.2.4 具有孔隙梯度结构的透波材料的透波性能计算与分析 | 第57-60页 |
| 4.3 具有孔隙梯度结构Si_3N_4陶瓷透波材料的制备 | 第60-63页 |
| 4.3.1 孔隙梯度结构Si_3N_4陶瓷各层材料的选择 | 第60-61页 |
| 4.3.2 制备工艺 | 第61页 |
| 4.3.3 涂层与涂层之间的显微结构 | 第61-62页 |
| 4.3.4 具有孔隙梯度结构Si_3N_4陶瓷透波材料的透波率计算结果 | 第62-63页 |
| 4.4 小结 | 第63-64页 |
| 第5章 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 研究生在读期间发表的论文 | 第70页 |
