摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
引言 | 第10-12页 |
1 文献综述 | 第12-31页 |
1.1 金属有机骨架(MOFs)材料的研究进展 | 第12-17页 |
1.2 影响MOFs膜制备及性能的重要因素 | 第17-19页 |
1.2.1 载体的影响 | 第17页 |
1.2.2 载体表面修饰的影响 | 第17页 |
1.2.3 去质子化剂的影响 | 第17-18页 |
1.2.4 溶剂的影响 | 第18页 |
1.2.5 膜层的活化 | 第18页 |
1.2.6 膜层的化学稳定性及热稳定性 | 第18-19页 |
1.3 MOFs膜的制备方法 | 第19-26页 |
1.3.1 原位合成法 | 第19-21页 |
1.3.2 二次晶种法 | 第21-22页 |
1.3.3 其他方法 | 第22-26页 |
1.4 MOFs膜在气体分离方面的应用 | 第26-27页 |
1.5 ZIF-67材料及其膜的制备及应用 | 第27-30页 |
1.5.1 ZIF-67颗粒的制备及应用 | 第27-29页 |
1.5.2 ZIF-67膜的制备及应用 | 第29-30页 |
1.6 论文的研究思路及主要内容 | 第30-31页 |
2 原位流动法制备ZIF-67膜 | 第31-43页 |
2.1 引言 | 第31-32页 |
2.2 实验部分 | 第32-36页 |
2.2.1 实验原料与设备 | 第32-33页 |
2.2.2 载体预处理 | 第33-34页 |
2.2.3 ZIF-67颗粒及膜的合成 | 第34页 |
2.2.4 表征方法和手段 | 第34-36页 |
2.3 结果与讨论 | 第36-41页 |
2.3.1 ZIF-67颗粒的合成 | 第36-37页 |
2.3.2 原位静态法合成ZIF-67膜 | 第37-38页 |
2.3.3 温度对流动法合成ZIF-67膜的影响 | 第38-39页 |
2.3.4 流速对流动法合成ZIF-67膜的影响 | 第39-40页 |
2.3.5 混合溶剂对流动法合成ZIF-67膜的影响 | 第40-41页 |
2.4 ZIF-67膜的气体渗透测试 | 第41-42页 |
2.5 本章小结 | 第42-43页 |
3 同源钴化合物涂层直接转化制备ZIF-67膜 | 第43-61页 |
3.1 引言 | 第43-44页 |
3.2 实验部分 | 第44-46页 |
3.2.1 实验原料与设备 | 第44页 |
3.2.2 载体预处理 | 第44-45页 |
3.2.3 利用针状碱式碳酸钴纳米线阵列在氧化铝载体上合成ZIF-67膜 | 第45页 |
3.2.4 利用菱形氟化氢氧化钴纳米棒阵列在硅片上合成ZIF-67膜 | 第45-46页 |
3.2.5 ZIF-67膜的表征 | 第46页 |
3.3 结果与讨论 | 第46-56页 |
3.3.1 碱式碳酸钴纳米线阵列的合成调控 | 第46-49页 |
3.3.2 反应溶剂对转化成膜的影响 | 第49-50页 |
3.3.3 配体浓度对转化成膜的影响 | 第50-51页 |
3.3.4 反应温度对转化成膜的影响 | 第51页 |
3.3.5 碱式碳酸钴纳米线阵列转化成膜过程分析 | 第51-55页 |
3.3.6 氟化氢氧化钴纳米棒阵列在硅片上直接转化合成ZIF-67膜 | 第55-56页 |
3.4 碱式碳酸钴纳米线直接转化制备的ZIF-67膜的单组份气体渗透测试 | 第56-59页 |
3.5 本章小结 | 第59-61页 |
4 氧化锌诱导法制备ZIF-67膜 | 第61-74页 |
4.1 引言 | 第61-62页 |
4.2 实验部分 | 第62-64页 |
4.2.1 实验原料与设备 | 第62页 |
4.2.2 载体预处理 | 第62页 |
4.2.3 原位法合成ZIF-67膜 | 第62页 |
4.2.4 利用ZnO纳米网诱导制备ZIF-67膜 | 第62-63页 |
4.2.5 利用ZnO纳米棒诱导制备ZIF-67膜 | 第63-64页 |
4.2.6 ZIF-67膜的表征 | 第64页 |
4.3 结果与讨论 | 第64-71页 |
4.3.1 原位法合成的ZIF-67膜 | 第64-65页 |
4.3.2 ZnO纳米网的合成 | 第65-66页 |
4.3.3 ZnO纳米网诱导成膜过程中温度的影响 | 第66-67页 |
4.3.4 ZnO纳米网诱导成膜过程分析 | 第67-70页 |
4.3.5 ZnO纳米棒诱导制备ZIF-67膜 | 第70-71页 |
4.4 ZnO网/棒诱导的ZIF-67膜的单组份气体渗透测试 | 第71-73页 |
4.5 本章小结 | 第73-74页 |
结论 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-81页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第81-82页 |
致谢 | 第82-83页 |