| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-24页 |
| 1.1 量子电动力学发展历程和现状 | 第10-13页 |
| 1.2 半导体量子点 | 第13-18页 |
| 1.2.1 简介 | 第13页 |
| 1.2.2 量子点中的激子 | 第13-16页 |
| 1.2.3 量子点耗散动力学 | 第16-18页 |
| 1.3 光子晶体 | 第18-21页 |
| 1.3.1 简介 | 第18页 |
| 1.3.2 光子晶体中的光学模式 | 第18-21页 |
| 1.4 小结 | 第21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 光子晶体内的量子点 | 第24-28页 |
| 2.1 自发辐射的运动方程 | 第24-25页 |
| 2.2 量子力学主方程与量子轨迹法 | 第25-27页 |
| 2.3 小结 | 第27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第三章 基于光子偏振态的AND和OR逻辑门 | 第28-43页 |
| 3.1 序言 | 第28-29页 |
| 3.2 理论模型 | 第29-35页 |
| 3.2.1 系统哈密顿量 | 第29-30页 |
| 3.2.2 系统的能级结构与干涉相消 | 第30-32页 |
| 3.2.3 系统模式转换时间 | 第32-35页 |
| 3.3 基于干涉相消的开关效应 | 第35-38页 |
| 3.4 基于串级系统的AND和OR逻辑门 | 第38-41页 |
| 3.4.1 响应光的模式选择、“非”逻辑门 | 第39页 |
| 3.4.2 “与”、“或”逻辑门 | 第39-41页 |
| 3.5 小结 | 第41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第四章 基于光子能量的OR和XOR逻辑门 | 第43-58页 |
| 4.1 序言 | 第43-44页 |
| 4.2 系统结构与哈密顿量 | 第44-46页 |
| 4.3 基于光子数的OR和XOR逻辑门 | 第46-48页 |
| 4.3.1 单激励情形 | 第47页 |
| 4.3.2 双激励情形 | 第47-48页 |
| 4.4 非理想误差对系统性能的影响 | 第48-52页 |
| 4.4.1 耦合强度与腔模耗散速率对逻辑门性能的影响 | 第48-49页 |
| 4.4.2 非简并双模对逻辑门性能的影响 | 第49-51页 |
| 4.4.3 非对称量子点-腔耦合强度对逻辑门性能的影响 | 第51页 |
| 4.4.4 量子点全消相对逻辑门性能的影响 | 第51-52页 |
| 4.5 鲁棒性分析 | 第52-54页 |
| 4.6 小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 论文总结 | 第58-59页 |
| 5.2 工作展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第61页 |