| 中文摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第8-11页 |
| 材料和方法 | 第11-25页 |
| 一、实验材料 | 第11-17页 |
| 二、实验方法 | 第17-25页 |
| 结果 | 第25-36页 |
| 一、电刺激上矢状窦能够促进CGRP的表达 | 第25-26页 |
| 二、电刺激上矢状窦后IB4-三叉神经元所占比例升高 | 第26-27页 |
| 三、电刺激上矢状窦能够增加TG神经元的兴奋性 | 第27-29页 |
| 四、电刺激上矢状窦对TG神经元的离子通道的影响 | 第29-36页 |
| 4.1 电刺激上矢状窦对TG神经元的钠离子通道无明显影响 | 第29-30页 |
| 4.2 电刺激上矢状窦对TG神经元的延迟整流型钾通道无明显影响 | 第30-32页 |
| 4.3 电刺激上矢状窦抑制TG神经元的A型钾电流 | 第32-33页 |
| 4.4 电刺激上矢状窦升高TG神经元的高电压钙通道电流 | 第33-34页 |
| 4.5 电刺激上矢状窦选择性增加TG神经元T型钙通道电流（IBa） | 第34-36页 |
| 讨论 | 第36-39页 |
| 一、CGRP参与偏头痛的发生发展 | 第36-37页 |
| 二、电刺激上矢状窦区硬脑膜使大鼠小直径三叉神经元兴奋性增加 | 第37-38页 |
| 三、肽能和非肽能神经元在偏头痛发展中的作用 | 第38-39页 |
| 结论 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-47页 |
| 综述 偏头痛发病机制的研究进展 | 第47-56页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 缩略词表 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
